处理器龙头英特尔(Intel)与 DRAM大厂美光(Micron)达成重大技术突破,1日联合发表全球首款采用25奈米技术的 NAND快闪记忆体,容量比现有的快闪记忆体倍增,可能导致未来智慧型手机、媒体播放器等电子装置的储存容量更大、尺寸更小。
英特尔与美光的联合声明指出,此产品由双方合资成立的 IM 快闪科技公司制造,以25 奈米制程生产出拥有8GB储存空间的单一NAND装置。该装置大小仅167平方毫米,小到足以穿越CD中央的洞,容量却达CD的10倍以上(通常一张CD可储存700MB的资料)。
采用25奈米制程的NAND快闪记忆体,所需的晶片数量将比前几代技术减半,也就是可将相同容量的记忆体挤进一半的空间中。这也意味着厂商能生产含32颗晶粒(die)的 256GB固态硬碟(SSD),而不必用到64颗晶粒。
这也是首度以25奈米半导体技术生产的快闪记忆体,目前英特尔与美光正以25奈米技术生产8GB晶片样品,预计今年第二季进入量产。
此项快闪记忆体的进步将使商业使用者在许多领域受益。首先,由于快闪记忆体的晶粒变小,iPhone、Nexus One等智慧手机尺寸不须加大,记忆体容量却可增加一倍。
许多商业人士十分依赖智慧手机收发Email、排定行程,因此容量扩充,自然十分有利。
而惠普(HP)、苹果公司(Apple)等企业所发布的平板电脑,也很依赖NAND快闪技术提供恒久存取空间,所以此技术也将使平板电脑容量倍增。
其次,厂商可生产出尺寸更小、记忆体效能更高的装置,如容量与目前相同、尺寸却小一半的智慧手机。未来固态硬碟制造商也能缩小硬碟尺寸,有利于生产更小、更薄的小笔电或智慧笔电(Smartbook)。
新制程也降低生产快闪记忆体的成本,因此未来依赖快闪记忆体的装置可能会更便宜。不过,至少就短期而言,制造商可能先藉成本降低提高利润,日后才会考虑调降售价。未来企业将可看到小型可携式运算装置的储存效能倍增,或是与当前科技相同的储存效能、但尺寸较小的装置,最终也会降价。