当记忆体大厂热闹掀起一股NAND Flash 40奈米制程大战的同时,英特尔(Intel)与美光(Micron)所合资的IMFT(IM Flash Technologies)公司1日对外发表25奈米制程的NAND Flash,将在2010年第2季开始量产、第4季时正式推出产品上市,预估将带动固态硬碟(Solid State Drive;SSD)进入更大容量、更便宜趋势发展。
NAND Flash为固态硬碟的重要零件之一,犹记先前台系硬碟业者还在殷切期盼NAND Flash能在2010年下半进入3X奈米制程,好让目前价格普遍高于传统硬碟的固态硬碟,在价差逐渐弭平的趋势之下,早日在消费性市场上普及。
如今,英特尔与美光率先抢进25奈米制程的NAND Flash,可望加速带动固态硬碟的普及时程。与32奈米NAND Flash相比,最新的25奈米技术NAND Flash,将可提供体积更小、密度更高的设计。未来,256GB的固态硬碟只须用32颗8GB容量的晶粒,可有效降低成本。
加上众所期盼的苹果(Apple)平板电脑(Tablet PC)iPad,终于在日前正式亮相,其内建硬碟便是采用固态硬碟,有了具备品牌人气的苹果加持下,固态硬碟可望因iPad热卖而再度打开市场知名度与市占率。
但也因为固态硬碟对Nand flash的产能消耗量极大,目前1颗32GB的SSD就要用掉32个8GB的NAND Flash颗粒,未来SSD若真广泛应用在每年数千万台的笔记型电脑(NB )上,所消耗的NAND Flash将十分可观。虽然英特尔与美光率先发表25奈米制程的NAND Flash,但NAND Flash制程是否能赶上固态硬碟需求的时程,以及固态硬碟市场价格与普及速度,仍有待市场观察。