NAND Flash市占大战美光和海力士缠斗激烈

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-02-02 10:27
2009年NAND Flash市场战况激烈,三星电子(Samsung Electronics)虽然以全球市占率37.9%维持龙头,但也面临东芝(Toshiba)以34.2%的市占率节节逼近;海力士(Hynix)和美光(Micron)的势力消长,也导致全球3哥排名易位,2010年NAND Flash战况延续2009年的激烈竞争,三星、东芝和海力士都朝32奈米制程演进,美光和英特尔阵营则朝25奈米制程前进,加上3-bit-per-cell架构的TLC(Triple-Level-Cell)晶片将取代部分MLC(Multi-Level-Cell)晶片市场,2010年NAND Flash市场竞争度将越来越高。
2009年NAND Flash第4季全球NAND Flash厂市占率仍是三星和东芝领先,根据统计,此两大阵营单季市占率分别为38.6%和32.7%,美光和海力士的市占率持续缠斗,分别以9.9%和9.8%位居第3和第4排名,英特尔和恒忆则以7%和2.1%分居第5和第6,整体单季的NAND Flash位元成长率约10%。
以全年市占率来看,三星、东芝、美光、海力士、英特尔和恒忆这6大阵营的市占率分别为37.9%、34.2%、9.4%、9.1%、6.9%和2.5%。
2009年全球NAND Flash厂市占排名上,较大变化为美光挤下海力士成为全球3哥,主要是美光在34奈米制程上的领先,带动美光的市占率提升,然海力士因为旗下8吋晶圆厂的退役,且制程进度上落后,使得2009年的全球市占率3哥宝座以些微差距败给美光。
2010年三星、东芝和海力士都将朝32奈米制程演进,其中三星从42奈米制程16Gb晶片转进32奈米制程32Gb晶片,在TLC晶片上,三星虽然量产的时程落后东芝,但三星试图以32奈米切入TLC晶片,可直接用1颗晶片做4GB的小型记忆卡microSD ,对于三星在巩固小型记忆卡microSD上的市占率有正面帮助。
东芝2009年市占率也拉进与三星间的距离,2010年制程技术将由从43奈米转进32奈米制程,同时也将与三星在TLC晶片上再度交锋。目前三星在记忆卡产品上,除了是记忆体模组大厂和记忆卡厂的主要供应商外,也经营自有品牌,在NAND Flash产业的现货和合约市场皆活跃。
海力士2010年则从41奈米跳到32奈米制程,32奈米制程晶片在2010年初已顺利量产出货,2009年海力士的技术落后,2010年试图以32奈米扳回一城,有机会再度从美光手上抢回全球市占率3哥宝座。
日前海力士也接获下游客户金士顿和群联的预付货款,在此资金挹注下,有利于海力士的制程演进顺利。
美光和英特尔阵营2010年将从34奈米转进25奈米制程技术,届时又会是制程技术领先的局面,有助于此阵营持续提升NAND Flash市占率。

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