4Q09转亏为盈，税后EPS0.09元。 华邦电已逐渐退出标准型DRAM市场，近期以NOR FLASH及MOBILE DRAM的成长动能较强。IBTSIC预估华邦电2010年税后EPS0.44元，年底每股净值9.7元，投资建议为PBR0.75~1X区间操作。
营运分析
4Q09转亏为盈，税后EPS0.09元：
华邦电公布4Q09自结获利情形，营收65.08亿元，QoQ+14.31%，毛利10.53亿元，毛利率由3Q09的-1.76%上升到16.18%，营业利益3.55亿元，税后净利3.42亿元，税后EPS0.09元，在连续10季亏损后转亏为盈。 2009年全年营收合计195.33亿元，毛利率-15.15%，税后净损86.13亿元，税后EPS-2.36元。
4Q09毛利率大幅提升，除了产品价格止跌回升，以及产品组合改善外，存货跌价损失回冲约7亿元也是主要因素。而在业外部份，由于出售子公司新唐科技(4919)股票，华邦电对新唐的持股比重由95%降至74.8%，贡献业外收益约2亿元，新唐科技为华邦电在2008年将逻辑IC部门和6吋厂分割出来的子公司，于01/29/2010起在兴柜挂牌交易。
自2H09逐渐退出标准型DRAM市场：
华邦电自2H09起便逐渐淡出标准型DRAM的生产，将产能移作生产利基型DRAM、NOR FLASH和MOBILE DRAM，4Q09标准型DRAM占营收的比重由3Q09时的31%降至25% ，利基型DRAM、NOR FLASH和MOBILE DRAM则各占41%、18%以及14%。未来标准型DRAM只会在产能未满载时，为填补产能利用率而投片，到4Q10华邦电应会完全退出标准型DRAM市场。
近期NOR FLASH及MOBILE DRAM需求较强：
展望1Q10，利基型DRAM的营收贡献应会持平，但毛利率可望因产品组合和客户结构调整而改善；NOR FLASH和MOBILE DRAM则需求较强，来自这两项产品的营收和获利将持续成长；至于标准型DRAM，占营收的比重应会继续下降至15%以下。
MOBILE DRAM主要应用于手机、数位相机、PDA、GPS、MP3等可携式电子产品，强调省电功能及低功率，种类包括Pseudo SRAM及Low Power DRAM。华邦电目前以Pseudo SRAM为主，为全球仅次于三星和美光的第三大供应商，Low Power DRAM目前市场仍由三星和尔必达主导，华邦电只有少量出货，不过未来在65nm制程大量开出以后，华邦电将加速切入Low Power DRAM市场。
至于在NOR FLASH方面，由于主机板的BIOS容量由8Mb逐渐增加到32~64Mb，带动需求大幅成长，加上来自NB CAMERA、TV等应用的需求也都持续增加，且目前下游通路商和客户的库存也处于健康水位，公司看好2010年市场成长力道，与MOBILE DRAM同为华邦电2010年主要的成长动能来源。
GDDR尚未大量投产：
华邦电于11/2009与尔必达签订MOU，未来将与其合作生产GDDR。全球的GDDR市场在2008年的产值为12亿美元，三星、海力士以及奇梦达各占约1/3市场，奇梦达破产后市场便由三星和海力士所瓜分，华邦电与尔必达合作的目标是希望能攻占奇梦达原有的市占率。
目前GDDR的主流规格为GDDR3和GDDR5，华邦电的GDDR3产品将于03/2010开始有小量产出；而在GDDR5方面，目前仍在design in阶段，计划2Q10开始量产。 IBTSIC认为GDDR要到2H10以后，才会开始对华邦电的营收和获利产生较明显的贡献。
2010年预估资本支出为67亿元：
在2007年将8吋厂卖给世界先进(5347)，以及2008年将6吋厂切割成立新唐后，华邦电只剩下1座12吋厂，1H09的产能为每月3万片， 2H09增为3.2万片，01/2010进一步增加为3.4万片。华邦电目前的主力制程为90nm和65nm，4Q09各制程占产出的比重分别为110nm 11%、90nm 55%、80nm 1%、75nm 11%、以及65nm 12%。
华邦电2009年的资本支出为42亿元，2010年规划为72亿元，主要用途包括：(1)65nm产能扩充至16kwpm，(2)90nm的NOR FLASH产能扩充至6kwpm，(3)购买生产GDDR所需设备，(4)华邦电已订购1台浸润式基台，预计09~10/2010可进厂交货，以转进4Xnm制程。
本周渠道消费类SSD和嵌入式eMMC价格延续调整，行业SSD/内存条和LPDDR价格持稳
闪迪：营收及利润创独立上市以来单季新高，出货量贡献超过价格因素；NBM客户需求延伸至2030财年以后
三星电子：扩产尚无法满足AI需求激增，存储供应短缺将持续至2028年