2010年DRAM厂制程转换从50奈米和40奈米世代技术,NAND Flash厂也转换至30奈米和20奈米世代,同样都需要浸润式微显影(Immersion Scanner)机器设备,同时晶圆代工也同样需要此款机器设备,造成浸润式微显影机台有交货不及的状况产生。
2009年设备厂经历缩减营运和投资规模、裁员、撙节成本等阶段,近来接获半导体厂对浸润式微显影机台的大量需求,因此出现交货不及的情况,设备厂的Immersion Scanner机台交货都以晶圆代工大厂和三星电子(Samsung Electronics)为主,其它存储器大厂只能慢慢等,如果现在向设备厂下单,要拿到Immersion Scanner机台起码要等10个月,因此Immersion Scanner机台成了DRAM和NAND Flash厂制程微缩的最大阻力。
2010年三星在DRAM制程技术上,要从50奈米转到40奈米,甚至要为30奈米做准备,而在NAND Flash制程技术上,则要转换至32奈米世代,下半年甚至将进军20奈米;海力士(Hynix)在DRAM制程技术上,也从50奈米转到40奈米,在NAND Flash制程技术上,2010年也大量转到32奈米世代。
美光(Micron)和英特尔(Intel)阵营方面,NAND Flash制程技术则要从去年的34奈米转到25奈米。美光在DRAM制程技术上,则要从68奈米转到50奈米,也同时为40奈米制程做准备。
上述的存储器厂制程微缩动作,都需要Immersion Scanner机台,造成晶圆代工、DRAM厂和NAND Flash厂互抢机台的情况,而Immersion Scanner机台1台造价高达10亿美元以上,价格已是门槛,但交货不及更是半导体厂在制程微缩过程中的最大阻碍。