韩国记忆体大厂三星(Samsung)(005930-KR)24日器兴厂发生跳电问题,DRAM、NAND Flash报价应声上扬,DDR3、DDR2 1G现货价全数站上3美元,跳电直接影响的DDR更大涨逾7%;NAND Flash方面也受到激励,16G ML

第一季因处于转换制程过渡期,会占掉一部分的产能,因此首季的产出将是今年最少的一季,第二季之后就会缓步向上增加,第三季即可急速放大,预计到了年底,产出量将较现在大增2倍之多。

南韩记忆体大厂三星京畿道器兴 (Giheung)厂区24日传出停电意外,激励今天包括标准型DRAM、利基型DRAM及NAND Flash等记忆体产品现货价全面大涨。

态硬盘(SSD)在低价市场正式展开大反扑,内存模块大厂金士顿(Kingston)推出30GB产品,市场销售反应热烈,全球出货量写下新高,3月直逼3万台大关,相较于过去零星出货,呈现大幅跳跃成长,加上英特尔(Intel)宣布40GB SSD问世,全面抢攻市场

继三星电子(Samsung Electronics)领先宣布量产40奈米制程4Gb的DRAM产品后,日系DRAM大厂尔必达(Elpida)也宣布将在2010年第2季量产4Gb DRAM,因应市场对于高容量内存的需求。

由于事发突然相关厂商已停止DRAM、NAND Flash报价,利基型存储器IC设计晶豪科、钰创、力积及NAND Flash控制IC设计群联、鑫创等将受惠。

三星电子(Samsung Electronics)南韩器兴厂24日下午停电约1小时,虽然三星官方指出影响不大,但业界对于已极度缺货的DRAM市场相当紧张。

停电真的是半导体厂的魔咒,每几年都会来个1次。停电发生在DRAM产业供需平衡的时间点,就像是火花一样,看似绚烂但没有留下任何影响,但如果碰上原本就供给吃紧的时候,只能以「紧」上添花来形容。

DRAM龙头大厂三星半导体昨(24)日下午生产线意外跳电,旗下位于企兴(Kiheung)的12寸厂与8寸厂,分别负责生产NAND Flash、利基型DRAM产线跳电长达30分钟至40分钟,由于情形不明,厂商相继缩手,同步停止DRAM、NAND Flash报

全球记忆体龙头韩国三星京畿道器兴(Giheung)厂区昨(24)日传出停电事件,该厂区以生产储存型快闪记忆体(NAND Flash)、利基型记忆体等非标准型产品为主,激励利基型记忆体现货价飙涨逾4%,均价为2.02美元,创一年多来的新高,后续供给状况颇受瞩

从2007年至今,DRAM产业共发生3次停电事件。第1次是三星电子(Samsung Electronics)在2007年8月器兴厂发生停电事件,持续21小时,估计有5~6条生产线受到影响,损失金额约在400亿~500亿韩元(约4,200~5,300万美元)

晶圆厂产能依旧吃紧,后段IC封测厂第二季的接单延续首季的热度,需求丝毫未有转弱的迹象,目前IC封测厂的产能均已经逼近满载,不过扩产的速度却赶不上需求的成长,市场传出第二季起,IC封测厂将取消3%至5%的价格折让(discount),不过业者反应表示,取消折

近期内存价格的持续上涨让DRAM芯片厂商尝到了甜头,不过在包括三星、美光、力晶等在内的DRAM厂商看来,好光景来之不易,不应该一味扩大产能恶性竞争而重新导致DRAM内存暴跌。

2010年下半NAND Flash市场缺货可能性相当高,主要是看好固态硬碟(SSD)热潮可望在低价市场卷土重来,加上苹果(Apple)iPad新产品卖相看俏,将带动NAND Flash市场需求升温,对2010年市场看法也相当乐观,东芝新厂量产之际可望赶上需

LSI及Agere控告南亚科、力晶等DRAM厂专利侵权案,已获美国国际贸易委员会(ITC)获判其美国专利号码5,227,335之专利无效之终判决定(Final Determination),南亚科全球业务营销副总暨发言人白培霖表示,南亚科尊重他人智慧财产权

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