DRAM厂专利胜诉又一桩 南亚科、力晶获平反

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-03-24 08:07
继2009年底DRAM大厂与Tessera的专利侵权官司胜诉后,又有相关好消息传出!LSI及Agere控告南亚科、力晶等DRAM厂专利侵权案,已获美国国际贸易委员会(ITC)获判其美国专利号码5,227,335之专利无效之终判决定(Final Determination),南亚科全球业务营销副总暨发言人白培霖表示,南亚科尊重他人智慧财产权的原则,再次于此官司上获得验证。
DRAM产业的技术相当成熟,因此当中很多专利问题横亘,除了每年要付给IBM等大厂专利费用之外,还常常会有内存外围业者以专利侵权之名来收取各式各样的权利金,很多官司虽然缠讼多年,但其实不乏败诉者,对彼此而言,只是劳民伤财和旷日废时的打官司而已。
Tessera也在2007年控告全球多家内存厂和系统厂侵犯专利美国专利号码5,663,106、6,133,627和5,679,977等,ITC经过多年的调查,在2009年底宣判Tessera败诉,表示内存厂并未有侵犯其专利的事实。
日前内存厂的专利侵权官司再获得喜讯一桩,LSI及Agere控告南亚科、力晶等DRAM厂的专利侵权案获判无效。ITC全委员会对外表示,LSI有关半导体制程之美国专利号码5,227,335专利为无效专利,且是终判决定(Final Determination)。
LSI是在2008年4月向美国联邦地方法院提出侵权告诉,在缠讼近2年后,DRAM厂终于获得胜诉,是半年内第2桩专利胜诉案。白培霖表示,南亚科一向秉持尊重他人智慧财产权的原则,很乐见ITC做出此判决。
除了专利侵权官司接二连三解决外,DRAM产业2010年是喜事连传,DDR3和DDR2芯片缺货问题持续蔓延,推升现货价格不断上扬,合约价4月则是可望续涨,DDR3现货价格更是站上3美元,市场虽然持续观察此价位是否可以守稳,但以目前DRAM厂的成本结构来看,2.5~3美元之间的价位,辅以制程微缩来降低成本,DRAM厂的获利即可稳定攀升。
由于DRAM产业2009年才逐渐从金融风暴和DRAM崩盘风暴中脱身,因此没有多余资金可以投入扩产,必须将既有资金放在技术制程微缩上,加上50奈米和40奈米技术门坎高,因此供给并未大幅增加。统计,2010年全球DRAM厂资本支出约83.61亿元,与2007或2008年水平相去甚远。
在DRAM大缺货行情中,DDR3芯片的终端需求超级抢手,内存模块厂和PC系统大厂间展开抢货大作战,PC系统大厂因为在合约市场上无法获得足够的货源,开始跳进入现货市场抢货,推升现货价格,也支撑合约价格,彼此形成正循环。
对于下游模块厂而言,虽然无法获得充足的货源供应,但可享受库存涨价利益,所以一片涨价声浪中,是内存产业上、下游同步受惠。
DRAM业者认为,目前供给吃紧的状况看不到纾解之时,除了DRAM厂持续在转换制程,导致供给未增加外,2010年个人计算机(PC)、手机、可携式产品如iPad对于标准型DRAM、Mobile RAM、SDRAM、NOR Flash各种内存零件的需求升温,也使得各产品间出现产能互相排挤的状况,产能供给持续不足,尤其是2010年PC市场压力多年的换机潮将爆发,更是驱动DRAM市场成长的推手。

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