尔必达2Q量产4Gb DRAM 紧追三星

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-03-26 08:12
 继三星电子(Samsung Electronics)领先宣布量产40奈米制程4Gb的DRAM产品后,日系DRAM大厂尔必达(Elpida)也宣布将在2010年第2季量产4Gb DRAM,因应市场对于高容量内存的需求。
尔必达2009年下半成功量产45奈米制程,在导入2Gb容量DRAM产品后,也将于2010年第2季导入4Gb DRAM产品,预计此芯片可广泛用于服务器和个人计算机(PC)。
三星的4Gb DRAM产品也于2010年2月正式量产,估计4Gb DDR3芯片可较2Gb DDR3芯片节省功耗达35%,尤其是满足服务器系统和高阶笔记型计算机(NB)的设计需求;再者,未来三星也会大量导入40奈米制程世代技术。

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