三星跳电 存储器IC设计没反应

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-03-25 14:19
DRAM龙头大厂三星半导体昨(24)日下午生产线意外跳电,由于事发突然相关厂商已停止DRAM、NAND Flash报价,利基型存储器IC设计晶豪科(3006)、钰创(5351)、力积(3553)及NAND Flash控制IC设计群联(8299)、鑫创(3259)等将受惠,惟台湾央行今日将召开理监事会议,市场观望升息与否,加上美股走跌及第二季进入NAND Flash传统淡季,相关概念股并未强势走扬。     
三星存储器厂跳电为一条新的12寸产线,以及一座旧的的8寸厂,其中12寸厂以生产NAND Flash为主,8寸厂则是主攻利基型DRAM,由于三星存储器颗粒供应量高居全球第一,产能中断无疑对DRAM、NAND Flash供应雪上加霜。三星停电效应激励非主流DDR1走扬,昨晚最新报价,512Mb DDR1芯片飙涨4.34%,均价为2.02美元,创一年多来新高。
由于利基型存储器价格将随著标准型报价走扬而上涨,在三星跳电预期心理下,报价将随之走扬,对第一季将缴出不错财报的力积及钰创等更是一大利多。晶豪科则搭配联发科MCP产品出货,营收亦有不错表现,今年1月营收为5.9亿元,2月营收则不受工作天数减少干扰,营收达5.87亿元,市场预期晶豪科3月营收将续扬。

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