三星跳电效应 利基型DRAM大涨7% Flash强涨6%

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-03-26 10:45
韩国记忆体大厂三星(Samsung)(005930-KR)24日器兴厂发生跳电问题,DRAM、NAND Flash报价应声上扬,DDR3、DDR2 1G现货价全数站上3美元,跳电直接影响的DDR更大涨逾7%;NAND Flash方面也受到激励,16G MLC平均最大涨幅逾6%。
三星于24日下午产线意外跳电,旗下位于器兴(Kiheung)的12寸厂与8寸厂,NAND Flash与利基型DRAM产线发生跳电长达约40分钟,虽然只是暂时性电力中断,但消息传出之后,25日利基型DRAM与NAND Flash现货报价明显走强。
DDR 512Mb 400MHz单日大涨7.34%,来到2.16美元,DDR2 1Gb现货均价也正式站上3美元,品牌与测试颗粒(eTT)报价均来到3.07美元,DDR3 1Gb现货均价单日上涨约2.5%,品牌颗粒来到3.08美元,测试颗粒来到3.09美元。
今年以来走势较为疲软的NAND Flash,也在昨日全面走强,现货报价呈现止跌回升,其中Samsung 16G MLC均价上涨4.31%,Hynix 16G MLC大涨6.29%。受到三星跳电影响,整体需求明显增加,交易量放大,市场价格震荡加剧。
从合约市场来看,3月下旬DRAM报价全面与上旬持平,而NAND Flash呈现小幅涨跌,变动约1-5%。受惠电子系统产品客户稳定OEM订单,有助多数NAND Flash厂,降低首季季底结帐及淡季效应的影响,但受客户需求结构差异,各厂合约价小幅涨跌不一。
预期自第 2季起,多数NAND Flash供应商将受惠于新型智慧手机、平板电脑及新行动式电子产品等应用需求的递增效益,再加上iPad 4月上市助力,预期主流2-bit/cell MLC颗粒价格将受激励而止跌回稳。
 

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