DRAM龙头大厂三星半导体昨(24)日下午生产线意外跳电,旗下位于企兴(Kiheung)的12寸厂与8寸厂,分别负责生产NAND Flash、利基型DRAM产线跳电长达30分钟至40分钟,由于情形不明,厂商相继缩手,同步停止DRAM、NAND Flash报价。三星记忆体颗粒供应量高居全球第一,龙头大厂产能中断无疑对DRAM、NAND Flash供应雪上加霜。
DRAM供不应求情况恐怕将雪上加霜!三星半导体昨日下午惊传跳电,三星旗下企兴厂不明原因间歇性跳电,记忆体模组厂商表示,跳电的生产线为一条新的12寸产线,以及一座旧的的8寸厂,其中12寸厂以生产NAND Flash为主,8寸厂则是主攻利基型DRAM,跳电时间长达30分钟至40分钟。
消息来源指出,三星的生产线集中在2大厂区,其中之一就是昨日下午跳电的企兴厂,由于三星的电力供应是连结整个厂区,消息来源指出,电力中断实际上是牵涉到5条线至6条线的电力供应,在状况不明之下,厂商已经暂时停止报价,待今日状况进一步明朗之后,再作打算。
台湾颗粒业者表示,三星跳电的DRAM生产线并非主流规格,主要以生产静态随机存取记忆体(SDR),以及DDR1为主,因此对于大宗标准型DRAM冲击不大,主要冲击应该会落在NAND Flash供应上,况且半导体厂都有不断电系统,暂时性的电力中断应该可以在几个小时之内,恢复生产。
记忆体模组厂商分析,由于状况不明,市场预期缺货心理冲击,会比实际短少的产能更大,在预期拿不到货之下,是不是会刺激厂商更积极抢货,还有待观察。
三星半导体发言管道昨日则表示,电力暂时中断对整体的产能供应影响并不大,然台湾的记忆体模组厂、颗粒厂仍密切注意三星跳电对产业造成的冲击。
三星为NAND Flash、DRAM龙头大厂,原本今年供应就属于短缺状态,三星间歇性跳电意外对今年供需再添变数,NAND Flash、DRAM概念股将强势反应。