DRAM价格在15天内暴跌10%,1Gb DDR3价格恐将跌至2美元线。价格跌落幅度超过预测值,不只三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix),设备业者也感到相当紧张。
由于从35奈米跳到46奈米估计成本可再下降30%,届时台、韩DRAM之战将形成以卵击石,加上台厂新产能大量产出时间点亦多落在第4季,面对产能将大量开出,近期DRAM价格跌不停,特别是DDR3 eTT已传出通路商价格杀至1.7美元,较同容量DDR2价格还要低
三星从56奈米制程往46奈米制程微缩后,目前46奈米制程已大量交货,第4季最新一代的35奈米将开始试产问世,预计成本可较上一代46奈米再减少30%;
拜智能型手机(Smartphone)蔚为主流,内嵌式存储器也开始成为产业趋势,eMMC成为智能型手机中常见存储器解决方案,包括上游NAND Flash大厂和下游模块厂,都积极抢进eMMC商机;
第三季旺季效应不如预期,DRAM价格较上季跌逾一成,面对DRAM持续下滑的趋势,明年整体DRAM厂获利可能不如今年上半年。对此,加速转进40纳米制程是DRAM厂2011年能否获利的关键。
2010年苹果(Apple)对NAND Flash产业贡献良多,光是旗下iPhone和iPad两大产品线就让NAND Flash大厂订单满载,但仍抵挡不了9月NAND Flash合约价持续下滑的命运。
由于台系IC设计业者在Host端控制芯片始终只闻楼梯响,暂时让日系大厂独领风骚,但台系IC设计业者亦非省油的灯,近期更弦易辙转攻最熟悉的NAND Flash领域,在随身碟USB 3.0单芯片解决方案上扳回一城。
台湾报道,来自存储芯片制造商的消息称,尽管苹果的iPhone和iPad销售火爆,但也难阻主流MLC NAND闪存芯片期货价格在9月份上半月的下滑。
第2季全球DRAM市场制造成本为4年来首度上升,据分析,是受到台湾DRAM业者增加生产费用所影响。
9月上旬DRAM合约价出炉,主流规格1Gb DDR3芯片重挫逾10%,不仅是今年以来最大跌幅,均价更写下去年10月来新低,DRAM厂本季传统旺季确定落空;
9月份合约价下跌幅度在5%以上的个位数。9月上旬DDR/2GB(模块)合约价则大跌10%,并且预料第四季单季恐将重挫20%,而12月DDR3 1Gb颗粒将下看1.5美元价位,濒临成本价。
因欧美市场需求不强,存储器模块厂本季旺季不太旺,威刚(3260)、创见(2451)预期9月营收仅持平至小增;由于DRAM模块持续跌价,使得模块厂本季获利空间亦受压抑。
DRAM现货价持续呈现跌势,9月上旬合约价跟跌,DDR3 1Gb均价大跌一成,至2.09美元,DDR2 1Gb跌约2.87%,至2.03美元。
2010年第3季内存产业传统旺季不旺,DRAM产业是受到个人计算机(PC)市况疲弱的影响,加上产能大幅增加,因此9月旺季时分却面临严峻跌价压力;
获利表现较为不佳的DRAM厂商为维持获利,回头砍后段封测厂的第四季的接单价格,跌幅落在5~10%,某些少数封装型态更要求调降10~20%。