9月上旬DRAM合约价出炉,主流规格1Gb DDR3芯片重挫逾10%,不仅是今年以来最大跌幅,均价更写下去年10月来新低,DRAM厂本季传统旺季确定落空;第四季淡季冲击下,价格恐再较第三季再跌两成,DRAM厂下半年获利恐不如上半年。
最新的DRAM价格,9月上旬DRAM合约价持续下跌,主流规格1Gb DDR3芯片最高跌幅达10.6%,均价为2.09美元;1Gb DDR2芯片也下跌2.8%以上,均价为2.03美元。
模块报价同步重挫,2GB DDR3 均价从40美元跌至36美元,DDR/2GB合约均价从40美元下跌至36美元,跌幅达10%,为一年来单次最大跌幅。
DDR2合约价亦受到DDR3价格影响,下跌约2.8%,来到35美元价位,从整体市场来看,由于下半年终端市场销售不如预期,PC大厂纷纷下修出货数字,下半年的PC成长率从之前乐观预估10%下修至1%不到,加上DRAM厂库存与销货压力下开始降价求售,第三季合约价与第二季相比下跌近13%,第四季合约价恐将续跌20%,12月DDR3 1Gb颗粒将下看1.5美元价位,DRAM厂第四季的获利率将不如上半年。
面对DRAM颗粒价格的急速崩跌,加速转进新制程以求降低成本仍是DRAM厂存活的唯一途径,放眼全球DRAM厂,韩商三星堪称制程转进速度最快,56nm与46nm制程早已进入成熟期迈入量产行列。三星日前便预期,第四季DRAM市场恐出现供过于求的问题,明年第一季也可能延续供给放大、但需求萎缩状况。
预估明年三星在制程上将领先其他同业至少一个世代,并有机会挑战全球市占率向上至40%。各家DRAM厂在2011年获利可能不如今年上半年,但若制程顺利快速转进40nm世代,仍有获利空间。
若三星再引爆价格战,预期台系DRAM厂如南科(2408)、华亚科(3474)、力晶(5346)、茂德(5387)、华邦电(2344)等,若制程不快速进到40奈米,可能难有获利,整体获利表现也将不如今年上半年。
受制价格旺季却逆势暴跌冲击,DRAM族群昨天走势普遍疲弱,跌幅都超过1%,力晶更终止减资新股上柜后连日收红走势,重挫近5%,跌幅是族群中最大。