衰Q4 DRAM合约价 估将大跌20%

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-09-17 08:22
在需求不振冲击下,DRAM现货价无法止住跌势,合约价也不得不跟进,跌幅并且在9月份明显扩大,以现货市场为主的南科(2408)表示,9月份合约价下跌幅度在5%以上的个位数。9月上旬DDR/2GB(模块)合约价则大跌10%,并且预料第四季单季恐将重挫20%,而12月DDR3 1Gb颗粒将下看1.5美元价位,濒临成本价。
9月上旬合约价持续下跌趋势,DDR/2GB(模块)合约均价从40美元下跌至36美元,跌幅达10%,为一年来单次最大跌幅,DDR2合约价亦受到DDR3价格影响,下跌约2.8%,来到35美元价位。
从整体市场来看,由于下半年终端市场销售不如预期,PC大厂纷纷下修出货数字,下半年的PC成长率从之前乐观预估10%下修至1%不到,加上DRAM厂库存与销货压力下开始降价求售,第三季合约价与第二季相比下跌近13%,第四季合约价恐将续跌20%,12月DDR3 1Gb颗粒将下看1.5美元价位,濒临成本价附近,DRAM厂第四季的获利率将不如上半年。
面对DRAM颗粒价格的急速崩跌,加速转进新制程以求降低成本仍是DRAM厂存活的唯一途径,放眼全球 DRAM厂,韩商三星堪称制程转进速度最快,56nm与46nm制程早已进入成熟期迈入量产行列,35nm制程于今年第四季开始出货给客户,明年第三季有机会超过总产出50%。
从成本上来看,35nm制程比46nm制程更多出近60%的颗粒产出,成本亦可再降低约30%左右,因此预估2011年三星在制程上将领先其他同业至少一个世代,并有机会挑战全球市占率向上至40%。
受到价格下滑以及三星的大军压境,其他各家DRAM厂在2011年获利可能不如今年上半年的水平, 但若制程顺利快速转进40nm世代,仍有获利空间。
市场臆测,现货市场从高点以来,已经大跌3成之多,DDR3 1Gb提前于第三季底面临2美元的保卫战,反观合约市场却相对抗跌,DRAM大厂仍不愿意放下身段跟进降价,业者希望透过大举降价的方式来刺激市场需求。
 

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