DRAM价格趋跌 加速转进40纳米为获利基础

存储器 中国闪存市场 Helen 2010-09-17 13:30
第三季旺季效应不如预期,DRAM价格较上季跌逾一成,面对DRAM持续下滑的趋势,明年整体DRAM厂获利可能不如今年上半年。对此,加速转进40纳米制程是DRAM厂2011年能否获利的关键。
今年上半年DRAM价格力撑高档,但第三季起转向走跌,预期第四季DRAM价格将比第三季有再跌二成的空间。
面对DRAM颗粒价格的急速崩跌,加速转进新制程以求降低成本仍是DRAM厂存活的唯一途径。
放眼全球DRAM厂,韩商三星制程转进速度最快,56纳米与46纳米制程早已进入成熟期迈入量产行列,35纳米制程于今年第四季开始出货给客户,明年第三季有机会超过总产出50%。
从成本上来看,35nm制程比46nm制程更多出近60%的颗粒产出,成本亦可再降低约30%左右。
预估明年三星在制程上将领先其它同业至少一个世代,并有机会挑战全球市占率向上至40%。
各家DRAM厂在2011年获利可能不如今年上半年,但若制程顺利快速转进40nm世代,仍有获利空间。
目前台湾四家DRAM厂,以台塑集团的南科(2408)、华亚科(3474)在先进制程的布局上领先,此两家今年上半年起即进行50纳米制程转换,第三季起持续导入更先进的40纳米制程。力晶(5346)今年下半年转进63纳米制程,最快今年第四季起直接转进40纳米制程,明年上半年逐步完成转换。茂德(5387)今年第二季起,以尔必达的63纳米技术试产DDR3 1Gb产品,但对更先进的制程布局暂无明确规划。

 

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