DRAM生产成本4年来首度上升 受台厂影响大

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-09-17 08:33
第2季全球DRAM市场制造成本为4年来首度上升,据分析,是受到台湾DRAM业者增加生产费用所影响。尽管也有另一看法,认为DRAM业者的节约成本已达临界点,但下半年将加速转换为微细制程,制造成本将再度呈现下跌趋势。
第2季DRAM平均生产费用为1Gb 2.03美元,较第1季的2美元上升约1.5%,此为2006年第3季以后,制造成本首度较前1季增加。就DRAM制造成本自2005年初之后,每季平均下跌9.2%的走势来看,制造成本增加是相当少见的状况。
此外,DRAM制造成本自2009年第3季起至2010年第1季,每季平均减少1.7%,据分析,以2010年第1季为基准,第2季DRAM平均制造成本应较实际减少约21%。DRAM制造成本减少比例钝化,近来也纷纷传出全球DRAM业者的成本节约是否面临极限的看法。
第2季DRAM制造成本上升的原因,也受到台湾业者在转换微细制程时遭遇困难所影响。第2季DRAM制造成本的趋势,受到世界排名第5的南亚科,和排名第3的尔必达(Elpida)影响极大,事实上,南亚科仅的生产费用仅提高约4%,尔必达则提高11%。
南亚科第2季在转换成微细制! 程时遭遇困难,而增加每位的生产费用,然而下半年提升次世代制程的收益率后,将可能使制造成本再度回到下降的趋势。
尔必达也将部分生产量委托给正在建立合作关系的台湾DRAM业者,而使制造成本急速上升。虽然其本身生产费用偏低,但由于产能受到限制,仅能提高成本外包给台湾厂商。
DRAM业界纷纷采用浸润式曝光技术等提升次世代微细制程的产能,以长期来看,成本减少趋势将更为明显。     

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