编辑：AVA 发布：2024-04-12 14:31
据外媒报道，三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片，有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
DRAM方面，据韩媒报道，三星公布DRAM量产蓝图：2024年底前将量产10nm第六代DRAM，最大特点是以极紫外光（EUV）技术制造，2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体（VCT）技术制造3DDRAM初期版本，并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 80500 | KRW | +2.94% |
| SK海力士 | 353000 | KRW | +5.85% |
| 铠侠 | 4520 | JPY | +1.80% |
| 美光科技 | 168.890 | USD | +5.56% |
| 西部数据 | 105.150 | USD | +4.17% |
| 闪迪 | 98.870 | USD | +5.21% |
| 南亚科技 | 80.0 | TWD | +9.14% |
| 华邦电子 | 32.30 | TWD | +9.86% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 722 | TWD | +4.94% |
| 慧荣科技 | 91.370 | USD | +3.29% |
| 联芸科技 | 49.11 | CNY | -2.56% |
| 点序 | 73.9 | TWD | +9.97% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 113.99 | CNY | -0.64% |
| 希捷科技 | 216.640 | USD | +1.54% |
| 宜鼎国际 | 353.5 | TWD | +3.67% |
| 创见资讯 | 118.5 | TWD | +0.42% |
| 威刚科技 | 137.0 | TWD | +2.24% |
| 世迈科技 | 27.660 | USD | +5.25% |
| 朗科科技 | 26.13 | CNY | -1.88% |
| 佰维存储 | 77.84 | CNY | -2.09% |
| 德明利 | 128.19 | CNY | -2.51% |
| 大为股份 | 17.11 | CNY | -1.78% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 46.60 | TWD | -3.02% |
| 力成 | 149.5 | TWD | +3.10% |
| 长电科技 | 39.13 | CNY | +0.93% |
| 日月光 | 170.0 | TWD | +0.59% |
| 通富微电 | 34.84 | CNY | +3.23% |
| 华天科技 | 11.27 | CNY | +0.71% |
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