编辑：AVA 发布：2024-04-12 14:31
据外媒报道，三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片，有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
DRAM方面，据韩媒报道，三星公布DRAM量产蓝图：2024年底前将量产10nm第六代DRAM，最大特点是以极紫外光（EUV）技术制造，2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体（VCT）技术制造3DDRAM初期版本，并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 71400 | KRW | +1.13% |
| SK海力士 | 251000 | KRW | +2.45% |
| 铠侠 | 2403 | JPY | +4.25% |
| 美光科技 | 117.680 | USD | +1.63% |
| 西部数据 | 76.970 | USD | +3.09% |
| 闪迪 | 46.370 | USD | +1.91% |
| 南亚科技 | 45.35 | TWD | -2.37% |
| 华邦电子 | 18.20 | TWD | -1.09% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 473.0 | TWD | -0.21% |
| 慧荣科技 | 76.430 | USD | +3.01% |
| 联芸科技 | 49.29 | CNY | +2.47% |
| 点序 | 50.5 | TWD | -1.37% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 96.60 | CNY | +3.86% |
| 希捷科技 | 159.210 | USD | +2.98% |
| 宜鼎国际 | 242.5 | TWD | 0.00% |
| 创见资讯 | 97.2 | TWD | -2.61% |
| 威刚科技 | 96.4 | TWD | +0.94% |
| 世迈科技 | 24.350 | USD | +2.96% |
| 朗科科技 | 27.48 | CNY | +2.00% |
| 佰维存储 | 70.70 | CNY | +5.01% |
| 德明利 | 98.92 | CNY | +2.40% |
| 大为股份 | 19.41 | CNY | +2.70% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 40.95 | TWD | +0.86% |
| 力成 | 117.0 | TWD | -2.09% |
| 长电科技 | 38.84 | CNY | +6.18% |
| 日月光 | 143.5 | TWD | -0.35% |
| 通富微电 | 30.23 | CNY | +4.71% |
| 华天科技 | 11.27 | CNY | +4.45% |
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