编辑：AVA 发布：2024-04-12 14:31
据外媒报道，三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片，有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
DRAM方面，据韩媒报道，三星公布DRAM量产蓝图：2024年底前将量产10nm第六代DRAM，最大特点是以极紫外光（EUV）技术制造，2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体（VCT）技术制造3DDRAM初期版本，并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 94400 | KRW | +6.07% |
| SK海力士 | 428000 | KRW | +8.22% |
| 铠侠 | 6160 | JPY | -0.96% |
| 美光科技 | 181.600 | USD | -5.58% |
| 西部数据 | 115.420 | USD | -3.58% |
| 闪迪 | 116.910 | USD | -9.85% |
| 南亚科技 | 98.5 | TWD | +8.48% |
| 华邦电子 | 43.45 | TWD | +5.33% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 882 | TWD | +3.16% |
| 慧荣科技 | 85.800 | USD | -8.89% |
| 联芸科技 | 57.50 | CNY | -7.93% |
| 点序 | 73.5 | TWD | +9.87% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 180.01 | CNY | -3.32% |
| 希捷科技 | 214.380 | USD | -3.30% |
| 宜鼎国际 | 405.0 | TWD | +9.91% |
| 创见资讯 | 121.0 | TWD | +3.42% |
| 威刚科技 | 179.5 | TWD | +2.28% |
| 世迈科技 | 21.160 | USD | -3.99% |
| 朗科科技 | 29.03 | CNY | -3.55% |
| 佰维存储 | 96.50 | CNY | -9.59% |
| 德明利 | 198.00 | CNY | -4.84% |
| 大为股份 | 21.51 | CNY | -0.78% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 52.4 | TWD | +9.85% |
| 力成 | 159.0 | TWD | +0.63% |
| 长电科技 | 43.77 | CNY | -6.87% |
| 日月光 | 179.0 | TWD | +2.58% |
| 通富微电 | 45.60 | CNY | +3.19% |
| 华天科技 | 11.78 | CNY | +4.16% |
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