编辑：AVA 发布：2024-04-12 14:31
据外媒报道，三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片，有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
DRAM方面，据韩媒报道，三星公布DRAM量产蓝图：2024年底前将量产10nm第六代DRAM，最大特点是以极紫外光（EUV）技术制造，2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体（VCT）技术制造3DDRAM初期版本，并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 58300 | KRW | -2.02% |
| SK海力士 | 235500 | KRW | 0.00% |
| 铠侠 | 2010 | JPY | -3.74% |
| 美光科技 | 115.600 | USD | -0.50% |
| 西部数据 | 55.700 | USD | -0.14% |
| 闪迪 | 42.500 | USD | +2.91% |
| 南亚科技 | 53.5 | TWD | -1.11% |
| 华邦电子 | 18.45 | TWD | -1.86% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 526 | TWD | -2.95% |
| 慧荣科技 | 66.960 | USD | -0.76% |
| 联芸科技 | 37.41 | CNY | -1.91% |
| 点序 | 57.0 | TWD | -4.20% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 71.23 | CNY | -2.85% |
| 希捷科技 | 127.270 | USD | +0.95% |
| 宜鼎国际 | 235.0 | TWD | -3.89% |
| 创见资讯 | 103.5 | TWD | -1.43% |
| 威刚科技 | 95.7 | TWD | -1.03% |
| 世迈科技 | 19.280 | USD | -3.79% |
| 朗科科技 | 21.55 | CNY | -4.09% |
| 佰维存储 | 58.29 | CNY | -2.17% |
| 德明利 | 119.78 | CNY | -2.32% |
| 大为股份 | 15.12 | CNY | -3.14% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 40.80 | TWD | -0.97% |
| 力成 | 129.5 | TWD | -0.38% |
| 长电科技 | 31.90 | CNY | -0.68% |
| 日月光 | 143.5 | TWD | -1.03% |
| 通富微电 | 23.10 | CNY | -0.99% |
| 华天科技 | 8.74 | CNY | -0.91% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱：Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场（ChinaFlashMarket） 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2
