权威的存储市场资讯平台English

三星最新NAND Flash/DRAM量产日程曝光

编辑:AVA 发布:2024-04-12 14:31

据外媒报道,三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片,有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。

DRAM方面,据韩媒报道,三星公布DRAM量产蓝图:2024年底前将量产10nm第六代DRAM,最大特点是以极紫外光(EUV)技术制造,2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体(VCT)技术制造3DDRAM初期版本,并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 更新于: 11-26 03:23,数据存在延时

存储原厂
三星电子99300KRW+2.69%
SK海力士519000KRW-0.19%
铠侠9853JPY-1.76%
美光科技224.710USD+0.35%
西部数据155.170USD+2.81%
闪迪224.251USD-1.19%
南亚科技143.5TWD+0.35%
华邦电子57.5TWD+5.31%
主控厂商
群联电子1100TWD+4.27%
慧荣科技83.820USD-0.02%
联芸科技46.60CNY+1.08%
点序68.4TWD+3.79%
品牌/模组
江波龙241.49CNY+0.63%
希捷科技260.465USD+2.80%
宜鼎国际495.0TWD+6.00%
创见资讯189.0TWD+1.34%
威刚科技178.5TWD0.00%
世迈科技18.960USD+4.75%
朗科科技27.48CNY+2.35%
佰维存储104.99CNY+0.85%
德明利221.06CNY+1.35%
大为股份30.37CNY+2.32%
封测厂商
华泰电子48.30TWD+3.87%
力成152.0TWD+0.33%
长电科技35.51CNY+1.31%
日月光212.0TWD+0.71%
通富微电35.97CNY+1.87%
华天科技10.83CNY+0.74%