编辑：AVA 发布：2024-04-12 14:31
据外媒报道，三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片，有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
DRAM方面，据韩媒报道，三星公布DRAM量产蓝图：2024年底前将量产10nm第六代DRAM，最大特点是以极紫外光（EUV）技术制造，2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体（VCT）技术制造3DDRAM初期版本，并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 68900 | KRW | -3.50% |
| SK海力士 | 258000 | KRW | -5.67% |
| 铠侠 | 2424 | JPY | -2.18% |
| 美光科技 | 104.880 | USD | -3.90% |
| 西部数据 | 76.550 | USD | -2.72% |
| 闪迪 | 41.330 | USD | -3.70% |
| 南亚科技 | 44.45 | TWD | -0.22% |
| 华邦电子 | 17.60 | TWD | +1.44% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 525 | TWD | -0.94% |
| 慧荣科技 | 76.420 | USD | -0.16% |
| 联芸科技 | 43.24 | CNY | -1.39% |
| 点序 | 51.9 | TWD | +0.58% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 87.86 | CNY | -1.59% |
| 希捷科技 | 154.810 | USD | -1.40% |
| 宜鼎国际 | 226.5 | TWD | -0.22% |
| 创见资讯 | 93.6 | TWD | -1.06% |
| 威刚科技 | 91.8 | TWD | +0.55% |
| 世迈科技 | 22.810 | USD | -3.22% |
| 朗科科技 | 23.80 | CNY | -1.24% |
| 佰维存储 | 63.50 | CNY | -0.11% |
| 德明利 | 87.93 | CNY | +2.90% |
| 大为股份 | 16.85 | CNY | -2.43% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 39.45 | TWD | +0.90% |
| 力成 | 123.5 | TWD | -1.98% |
| 长电科技 | 34.54 | CNY | -1.51% |
| 日月光 | 152.5 | TWD | 0.00% |
| 通富微电 | 27.13 | CNY | -3.52% |
| 华天科技 | 9.91 | CNY | -1.10% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱：Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场（ChinaFlashMarket） 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2
