编辑：AVA 发布：2024-04-12 14:31
据外媒报道，三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片，有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
DRAM方面，据韩媒报道，三星公布DRAM量产蓝图：2024年底前将量产10nm第六代DRAM，最大特点是以极紫外光（EUV）技术制造，2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体（VCT）技术制造3DDRAM初期版本，并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 54200 | KRW | -0.91% |
| SK海力士 | 200000 | KRW | +1.57% |
| 铠侠 | 2058 | JPY | -0.82% |
| 美光科技 | 93.370 | USD | -1.54% |
| 西部数据 | 50.180 | USD | +0.68% |
| 闪迪 | 37.280 | USD | -1.48% |
| 南亚科技 | 42.55 | TWD | -0.70% |
| 华邦电子 | 17.75 | TWD | -0.56% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 502 | TWD | -2.33% |
| 慧荣科技 | 63.700 | USD | -2.11% |
| 联芸科技 | 39.02 | CNY | +0.10% |
| 点序 | 57.9 | TWD | -0.52% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 73.14 | CNY | -1.72% |
| 希捷科技 | 112.740 | USD | +3.56% |
| 宜鼎国际 | 242.5 | TWD | 0.00% |
| 创见资讯 | 103.5 | TWD | 0.00% |
| 威刚科技 | 92.5 | TWD | +0.11% |
| 世迈科技 | 17.640 | USD | -2.22% |
| 朗科科技 | 22.27 | CNY | -4.01% |
| 佰维存储 | 58.12 | CNY | -2.71% |
| 德明利 | 111.23 | CNY | -1.48% |
| 大为股份 | 14.13 | CNY | -2.69% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 37.15 | TWD | -0.80% |
| 力成 | 119.5 | TWD | +1.27% |
| 长电科技 | 32.63 | CNY | -0.79% |
| 日月光 | 142.5 | TWD | -1.72% |
| 通富微电 | 23.55 | CNY | -2.04% |
| 华天科技 | 8.90 | CNY | -1.22% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱：Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场（ChinaFlashMarket） 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2
