编辑：AVA 发布：2024-04-12 14:31
据外媒报道，三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片，有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
DRAM方面，据韩媒报道，三星公布DRAM量产蓝图：2024年底前将量产10nm第六代DRAM，最大特点是以极紫外光（EUV）技术制造，2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体（VCT）技术制造3DDRAM初期版本，并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 104900 | KRW | -5.58% |
| SK海力士 | 586000 | KRW | -5.48% |
| 铠侠 | 10760 | JPY | -0.60% |
| 美光科技 | 218.030 | USD | -7.10% |
| 西部数据 | 152.180 | USD | -3.70% |
| 闪迪 | 194.570 | USD | -6.01% |
| 南亚科技 | 131.5 | TWD | -4.01% |
| 华邦电子 | 53.3 | TWD | -5.83% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 1045 | TWD | -5.86% |
| 慧荣科技 | 92.290 | USD | -5.50% |
| 联芸科技 | 55.07 | CNY | -3.77% |
| 点序 | 72.0 | TWD | -8.51% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 263.77 | CNY | -5.46% |
| 希捷科技 | 250.380 | USD | -5.71% |
| 宜鼎国际 | 426.0 | TWD | -2.07% |
| 创见资讯 | 128.0 | TWD | -3.76% |
| 威刚科技 | 181.0 | TWD | -6.94% |
| 世迈科技 | 21.520 | USD | -4.78% |
| 朗科科技 | 29.81 | CNY | -2.65% |
| 佰维存储 | 121.92 | CNY | -9.22% |
| 德明利 | 224.00 | CNY | -5.88% |
| 大为股份 | 26.81 | CNY | -2.15% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 47.80 | TWD | -5.53% |
| 力成 | 174.0 | TWD | +0.58% |
| 长电科技 | 39.82 | CNY | +0.94% |
| 日月光 | 239.0 | TWD | -2.85% |
| 通富微电 | 40.88 | CNY | -2.06% |
| 华天科技 | 12.01 | CNY | -1.96% |
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