编辑:AVA 发布:2024-04-12 14:31
据外媒报道,三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片,有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
DRAM方面,据韩媒报道,三星公布DRAM量产蓝图:2024年底前将量产10nm第六代DRAM,最大特点是以极紫外光(EUV)技术制造,2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体(VCT)技术制造3DDRAM初期版本,并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。
存储原厂 |
三星电子 | 60600 | KRW | +0.66% |
SK海力士 | 275500 | KRW | -3.50% |
铠侠 | 2355 | JPY | -0.34% |
美光科技 | 120.890 | USD | -1.91% |
西部数据 | 63.840 | USD | -0.23% |
闪迪 | 44.960 | USD | -0.86% |
南亚科技 | 49.75 | TWD | +0.51% |
华邦电子 | 19.65 | TWD | -1.01% |
主控厂商 |
群联电子 | 490.5 | TWD | 0.00% |
慧荣科技 | 74.290 | USD | -1.17% |
联芸科技 | 40.41 | CNY | -1.80% |
点序 | 54.3 | TWD | +0.56% |
品牌/模组 |
江波龙 | 83.14 | CNY | -2.29% |
希捷科技 | 145.040 | USD | +0.49% |
宜鼎国际 | 241.5 | TWD | +0.62% |
创见资讯 | 103.5 | TWD | +0.98% |
威刚科技 | 94.2 | TWD | +0.43% |
世迈科技 | 20.170 | USD | +1.82% |
朗科科技 | 23.72 | CNY | -2.63% |
佰维存储 | 66.25 | CNY | -2.29% |
德明利 | 120.99 | CNY | +1.94% |
大为股份 | 18.60 | CNY | -7.00% |
封测厂商 |
华泰电子 | 39.10 | TWD | +0.77% |
力成 | 132.5 | TWD | +0.76% |
长电科技 | 33.45 | CNY | -1.53% |
日月光 | 141.5 | TWD | +1.07% |
通富微电 | 25.35 | CNY | -2.12% |
华天科技 | 10.22 | CNY | -5.19% |
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