CFMS | MemoryS 2025
权威的存储市场资讯平台English

三星最新NAND Flash/DRAM量产日程曝光

编辑:AVA 发布:2024-04-12 14:31

据外媒报道,三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片,有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。

DRAM方面,据韩媒报道,三星公布DRAM量产蓝图:2024年底前将量产10nm第六代DRAM,最大特点是以极紫外光(EUV)技术制造,2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体(VCT)技术制造3DDRAM初期版本,并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 更新于: 02-08 23:41,数据存在延时

存储原厂
三星电子53700KRW-0.56%
SK海力士203000KRW-0.25%
铠侠1697JPY-1.16%
美光科技92.300USD-2.37%
西部数据64.460USD-0.03%
南亚科28.80TWD+3.78%
华邦电子14.35TWD-1.03%
主控厂商
群联电子488.5TWD-0.51%
慧荣科技52.800USD-4.98%
联芸科技45.22CNY-0.83%
点序61.3TWD+0.33%
国科微71.03CNY+0.13%
品牌/模组
江波龙87.36CNY-0.50%
希捷科技96.150USD-0.40%
宜鼎国际241.0TWD+6.87%
创见资讯86.9TWD-0.46%
威刚科技76.5TWD-0.91%
世迈科技20.770USD-0.34%
朗科科技19.70CNY+1.70%
佰维存储64.47CNY-1.47%
德明利105.61CNY-1.00%
大为股份18.17CNY+9.99%
封测厂商
华泰电子36.10TWD+4.34%
力成113.5TWD+1.34%
长电科技41.92CNY-0.85%
日月光164.5TWD+2.17%
通富微电30.36CNY+1.50%
华天科技11.74CNY+0.60%