权威的存储市场资讯平台English

三星最新NAND Flash/DRAM量产日程曝光

编辑:AVA 发布:2024-04-12 14:31

据外媒报道,三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片,有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。

DRAM方面,据韩媒报道,三星公布DRAM量产蓝图:2024年底前将量产10nm第六代DRAM,最大特点是以极紫外光(EUV)技术制造,2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体(VCT)技术制造3DDRAM初期版本,并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 更新于: 07-02 11:19,数据存在延时

存储原厂
三星电子60600KRW+0.66%
SK海力士275500KRW-3.50%
铠侠2355JPY-0.34%
美光科技120.890USD-1.91%
西部数据63.840USD-0.23%
闪迪44.960USD-0.86%
南亚科技49.75TWD+0.51%
华邦电子19.65TWD-1.01%
主控厂商
群联电子490.5TWD0.00%
慧荣科技74.290USD-1.17%
联芸科技40.41CNY-1.80%
点序54.3TWD+0.56%
品牌/模组
江波龙83.14CNY-2.29%
希捷科技145.040USD+0.49%
宜鼎国际241.5TWD+0.62%
创见资讯103.5TWD+0.98%
威刚科技94.2TWD+0.43%
世迈科技20.170USD+1.82%
朗科科技23.72CNY-2.63%
佰维存储66.25CNY-2.29%
德明利120.99CNY+1.94%
大为股份18.60CNY-7.00%
封测厂商
华泰电子39.10TWD+0.77%
力成132.5TWD+0.76%
长电科技33.45CNY-1.53%
日月光141.5TWD+1.07%
通富微电25.35CNY-2.12%
华天科技10.22CNY-5.19%