编辑:AVA 发布:2024-04-12 14:31
据外媒报道,三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片,有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
DRAM方面,据韩媒报道,三星公布DRAM量产蓝图:2024年底前将量产10nm第六代DRAM,最大特点是以极紫外光(EUV)技术制造,2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体(VCT)技术制造3DDRAM初期版本,并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。
存储原厂 |
三星电子 | 53700 | KRW | -0.56% |
SK海力士 | 203000 | KRW | -0.25% |
铠侠 | 1697 | JPY | -1.16% |
美光科技 | 92.300 | USD | -2.37% |
西部数据 | 64.460 | USD | -0.03% |
南亚科 | 28.80 | TWD | +3.78% |
华邦电子 | 14.35 | TWD | -1.03% |
主控厂商 |
群联电子 | 488.5 | TWD | -0.51% |
慧荣科技 | 52.800 | USD | -4.98% |
联芸科技 | 45.22 | CNY | -0.83% |
点序 | 61.3 | TWD | +0.33% |
国科微 | 71.03 | CNY | +0.13% |
品牌/模组 |
江波龙 | 87.36 | CNY | -0.50% |
希捷科技 | 96.150 | USD | -0.40% |
宜鼎国际 | 241.0 | TWD | +6.87% |
创见资讯 | 86.9 | TWD | -0.46% |
威刚科技 | 76.5 | TWD | -0.91% |
世迈科技 | 20.770 | USD | -0.34% |
朗科科技 | 19.70 | CNY | +1.70% |
佰维存储 | 64.47 | CNY | -1.47% |
德明利 | 105.61 | CNY | -1.00% |
大为股份 | 18.17 | CNY | +9.99% |
封测厂商 |
华泰电子 | 36.10 | TWD | +4.34% |
力成 | 113.5 | TWD | +1.34% |
长电科技 | 41.92 | CNY | -0.85% |
日月光 | 164.5 | TWD | +2.17% |
通富微电 | 30.36 | CNY | +1.50% |
华天科技 | 11.74 | CNY | +0.60% |
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