编辑:AVA 发布:2024-04-12 14:31
据外媒报道,三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片,有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
DRAM方面,据韩媒报道,三星公布DRAM量产蓝图:2024年底前将量产10nm第六代DRAM,最大特点是以极紫外光(EUV)技术制造,2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体(VCT)技术制造3DDRAM初期版本,并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 99300 | KRW | +2.69% |
| SK海力士 | 519000 | KRW | -0.19% |
| 铠侠 | 9853 | JPY | -1.76% |
| 美光科技 | 224.710 | USD | +0.35% |
| 西部数据 | 155.170 | USD | +2.81% |
| 闪迪 | 224.251 | USD | -1.19% |
| 南亚科技 | 143.5 | TWD | +0.35% |
| 华邦电子 | 57.5 | TWD | +5.31% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 1100 | TWD | +4.27% |
| 慧荣科技 | 83.820 | USD | -0.02% |
| 联芸科技 | 46.60 | CNY | +1.08% |
| 点序 | 68.4 | TWD | +3.79% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 241.49 | CNY | +0.63% |
| 希捷科技 | 260.465 | USD | +2.80% |
| 宜鼎国际 | 495.0 | TWD | +6.00% |
| 创见资讯 | 189.0 | TWD | +1.34% |
| 威刚科技 | 178.5 | TWD | 0.00% |
| 世迈科技 | 18.960 | USD | +4.75% |
| 朗科科技 | 27.48 | CNY | +2.35% |
| 佰维存储 | 104.99 | CNY | +0.85% |
| 德明利 | 221.06 | CNY | +1.35% |
| 大为股份 | 30.37 | CNY | +2.32% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 48.30 | TWD | +3.87% |
| 力成 | 152.0 | TWD | +0.33% |
| 长电科技 | 35.51 | CNY | +1.31% |
| 日月光 | 212.0 | TWD | +0.71% |
| 通富微电 | 35.97 | CNY | +1.87% |
| 华天科技 | 10.83 | CNY | +0.74% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2