编辑:AVA 发布:2024-04-12 14:31
据外媒报道,三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片,有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。
DRAM方面,据韩媒报道,三星公布DRAM量产蓝图:2024年底前将量产10nm第六代DRAM,最大特点是以极紫外光(EUV)技术制造,2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体(VCT)技术制造3DDRAM初期版本,并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。
存储原厂 |
三星电子 | 79400 | KRW | +3.79% |
SK海力士 | 348000 | KRW | +5.14% |
铠侠 | 4705 | JPY | +5.97% |
美光科技 | 158.820 | USD | +0.67% |
西部数据 | 103.090 | USD | +0.68% |
闪迪 | 91.550 | USD | +1.62% |
南亚科技 | 69.2 | TWD | +9.67% |
华邦电子 | 27.95 | TWD | +4.29% |
主控厂商 |
群联电子 | 688 | TWD | +3.61% |
慧荣科技 | 90.290 | USD | +0.31% |
联芸科技 | 51.40 | CNY | +1.50% |
点序 | 68.4 | TWD | +8.74% |
品牌/模组 |
江波龙 | 115.23 | CNY | +3.52% |
希捷科技 | 211.130 | USD | 0.00% |
宜鼎国际 | 347.5 | TWD | 0.00% |
创见资讯 | 118.5 | TWD | +1.72% |
威刚科技 | 132.0 | TWD | +2.72% |
世迈科技 | 26.330 | USD | +0.73% |
朗科科技 | 26.90 | CNY | +1.24% |
佰维存储 | 80.00 | CNY | +0.69% |
德明利 | 125.50 | CNY | +6.44% |
大为股份 | 17.60 | CNY | -0.96% |
封测厂商 |
华泰电子 | 43.70 | TWD | +2.10% |
力成 | 148.5 | TWD | -1.66% |
长电科技 | 38.70 | CNY | +2.33% |
日月光 | 169.5 | TWD | +1.80% |
通富微电 | 33.46 | CNY | +1.55% |
华天科技 | 11.25 | CNY | +1.53% |
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