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NAND闪存保持相对稳定

CFM闪存市场 每周点评 2009-07-28

我们认为,改善记忆卡的需求在本周( 7月20号至24号) ,体现于更多的内存卡交易。

经济部工业局今(22)日举行「DARM产业再造方案」说明会,局长杜紫军在会后记者会中,率先针对TMC破局的市场看法澄清,政府对于DRAM产业再造上,希望进行结构性的改变,因此才会拖了这么久,如今「DRAM产业再造方案」公布,代表TMC条件都已准备好了,现在

7月上旬NAND Flash交投淡静

CFM闪存市场 每周点评 2009-07-13

下游客户采购意愿仍低,上游供应商也持续小幅调低主流 MLC NAND Flash 合约价, 7 月上旬主流的 MLC NAND Flash 合约价大致呈现小幅下跌约 1% 到 5%

年中库存盘点,导致上周NAND闪存现货市场需求下降,整体价格保持稳定;DRAM上周交易仍然有限,需求疲弱

NAND闪存的现货市场上周( 6月22-26段)持续疲弱,市场焦点主要集中在英特尔的34nm芯片,而合约价大致呈现持平或小跌的情况,近期NAND Flash市场呈现胶着盘整的状态。

DRAM反应清淡 flash回软

CFM闪存市场 每周点评 2009-06-22

DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%,唯成交反应清淡;季底效应与淡季因素,NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势

NAND平稳,DRAM现货价跌

CFM闪存市场 每周点评 2009-06-15

NAND flash 市场上周价格整体表现平稳整,体需求较弱,买气不足;DRAM上周现货市场价格急剧下跌

Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未来DRAM之发展

全球DRAM业第一季受到价格下滑与减产影响,季营收较上季下滑逾二成,市场占有率仍以韩国三星、海力士分居前两名

由于供应商控货,加上客户以及中国手机市场需求, 4月下旬主流 MLC NAND Flash(储存型快闪记忆体) 合约均价大致上涨 8-18% ,预期5月上旬主流的NAND Flash MLC 合约均价可望再上涨约 5% 以上。

DDR2 1Gb eTT颗粒价格自2月20日大涨逾10%至0.96美元后,经过短暂的持平走势,上周(02/24-03/02)颗粒价格再次呈现下滑的走势

DRAM :现货颗粒价格上周上涨逾10%,二月下旬合约价格表现持平

4Q08 在金融风暴的影响下,使得传统旺季需求出现远不如预期的情况,迫使 NAND Flash供货商在业绩及库存的双重压力下,而采取了持续降价的策略来去化库存及刺激买气,因此4Q08 NAND Flash ASP约比3Q08下跌32% QoQ,由于终端产品

股市快讯 更新于: 12-11 16:42,数据存在延时

存储原厂
三星电子54000KRW0.00%
SK海力士171800KRW+0.82%
美光科技98.100USD-4.59%
英特尔20.160USD-3.12%
西部数据68.820USD-2.71%
南亚科30.50TWD-5.57%
华邦电子15.25TWD-3.48%
主控厂商
群联电子448.0TWD-0.99%
慧荣科技56.120USD-1.60%
联芸科技41.96CNY+3.48%
点序52.8TWD-2.04%
国科微70.93CNY+4.42%
品牌/模组
江波龙88.99CNY+0.71%
希捷科技97.590USD-1.39%
宜鼎国际221.0TWD-1.78%
创见资讯94.2TWD0.00%
威刚科技82.8TWD-2.59%
世迈科技20.060USD-3.65%
朗科科技21.94CNY+4.23%
佰维存储60.30CNY+2.50%
德明利83.03CNY+0.85%
大为股份13.19CNY+2.25%
封测厂商
华泰电子35.90TWD-1.64%
力成118.0TWD-1.26%
长电科技38.46CNY-0.23%
日月光156.0TWD-1.27%
通富微电29.80CNY+1.05%
华天科技12.07CNY+1.00%