我们认为,改善记忆卡的需求在本周( 7月20号至24号) ,体现于更多的内存卡交易。
经济部工业局今(22)日举行「DARM产业再造方案」说明会,局长杜紫军在会后记者会中,率先针对TMC破局的市场看法澄清,政府对于DRAM产业再造上,希望进行结构性的改变,因此才会拖了这么久,如今「DRAM产业再造方案」公布,代表TMC条件都已准备好了,现在
下游客户采购意愿仍低,上游供应商也持续小幅调低主流 MLC NAND Flash 合约价, 7 月上旬主流的 MLC NAND Flash 合约价大致呈现小幅下跌约 1% 到 5%
年中库存盘点,导致上周NAND闪存现货市场需求下降,整体价格保持稳定;DRAM上周交易仍然有限,需求疲弱
NAND闪存的现货市场上周( 6月22-26段)持续疲弱,市场焦点主要集中在英特尔的34nm芯片,而合约价大致呈现持平或小跌的情况,近期NAND Flash市场呈现胶着盘整的状态。
DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%,唯成交反应清淡;季底效应与淡季因素,NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势
NAND flash 市场上周价格整体表现平稳整,体需求较弱,买气不足;DRAM上周现货市场价格急剧下跌
Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未来DRAM之发展
全球DRAM业第一季受到价格下滑与减产影响,季营收较上季下滑逾二成,市场占有率仍以韩国三星、海力士分居前两名
由于供应商控货,加上客户以及中国手机市场需求, 4月下旬主流 MLC NAND Flash(储存型快闪记忆体) 合约均价大致上涨 8-18% ,预期5月上旬主流的NAND Flash MLC 合约均价可望再上涨约 5% 以上。
DDR2 1Gb eTT颗粒价格自2月20日大涨逾10%至0.96美元后,经过短暂的持平走势,上周(02/24-03/02)颗粒价格再次呈现下滑的走势
DRAM :现货颗粒价格上周上涨逾10%,二月下旬合约价格表现持平
4Q08 在金融风暴的影响下,使得传统旺季需求出现远不如预期的情况,迫使 NAND Flash供货商在业绩及库存的双重压力下,而采取了持续降价的策略来去化库存及刺激买气,因此4Q08 NAND Flash ASP约比3Q08下跌32% QoQ,由于终端产品
存储原厂 |
三星电子 | 54000 | KRW | 0.00% |
SK海力士 | 171800 | KRW | +0.82% |
美光科技 | 98.100 | USD | -4.59% |
英特尔 | 20.160 | USD | -3.12% |
西部数据 | 68.820 | USD | -2.71% |
南亚科 | 30.50 | TWD | -5.57% |
华邦电子 | 15.25 | TWD | -3.48% |
主控厂商 |
群联电子 | 448.0 | TWD | -0.99% |
慧荣科技 | 56.120 | USD | -1.60% |
联芸科技 | 41.96 | CNY | +3.48% |
点序 | 52.8 | TWD | -2.04% |
国科微 | 70.93 | CNY | +4.42% |
品牌/模组 |
江波龙 | 88.99 | CNY | +0.71% |
希捷科技 | 97.590 | USD | -1.39% |
宜鼎国际 | 221.0 | TWD | -1.78% |
创见资讯 | 94.2 | TWD | 0.00% |
威刚科技 | 82.8 | TWD | -2.59% |
世迈科技 | 20.060 | USD | -3.65% |
朗科科技 | 21.94 | CNY | +4.23% |
佰维存储 | 60.30 | CNY | +2.50% |
德明利 | 83.03 | CNY | +0.85% |
大为股份 | 13.19 | CNY | +2.25% |
封测厂商 |
华泰电子 | 35.90 | TWD | -1.64% |
力成 | 118.0 | TWD | -1.26% |
长电科技 | 38.46 | CNY | -0.23% |
日月光 | 156.0 | TWD | -1.27% |
通富微电 | 29.80 | CNY | +1.05% |
华天科技 | 12.07 | CNY | +1.00% |
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