NAND Fash市场现货部分仍然出现下跌趋势,但下跌幅度较弱,下跌1%~2%左右,跌幅不深。闪存卡方面价格也持续下跌,主流产品256MB~1GB下跌幅度较大,下跌9%左右。
厂商制程微缩之快,大规模的产出会对市场价格有较大的影响,价格恐面临下跌的压力,另一方面,NAND Flash跌价,反会刺激SSD需求,成长幅度可期,但对NB渗透率仍须3-5年。
4 月下旬储存型快闪记忆体 (NAND Flash)合约价出炉,市场主流的16Gb MLC及32Mb MLC合约均价同步下挫逾1.4%,NAND Flash现货价格呈微幅下跌趋势,小跌1%~3%。
4月上旬动态随机存取记忆体 (DRAM)及储存型快闪记忆体 (NAND Flash)合约价出炉,包括DRAM与NAND Flash产品价格全面走扬。
本周(3.29-4.2)NAND Flash现货价格开始疲软,呈小幅下滑的趋势,随三星跳电效应影响消失后,截至4月2日中午,容量为16GB的和32GB的MLC NAND闪存的现货价格跌幅在2%~1%左右。
从合约市场来看,3月下旬DRAM报价全面与上旬持平,而NAND Flash呈现小幅涨跌,变动约1-5%。预期在苹果iPad 4月上市助力带动下,4月上旬主流规格晶片报价可望止跌回稳。
3月上旬NAND Flash合约价呈现部份下跌及部份持平,观望后市,由于Apple的iPad 销售优于预期,加上英特尔新品SSD问世,更使NAND Flash市场重燃希望。预期NAND Flash价格将止跌回稳。
如今观察DRAM,Flash的价格,价格如果能守在某一区间,上下游厂商都可接受,价位较合理,将有助于产业稳定。
32奈米制程可能沦为过渡技术,未来20奈米制程才会是主流,2010年产能增加几乎全仰赖制程微缩,而20奈米世代来临有助于固态硬碟(SSD)应用成熟。
即便NAND Flash近期价格走跌,不过,记忆体模组厂威刚科技及劲永国际仍一致看好NAND Flash市场前景,全球NAND Flash记忆卡龙头新帝(Sandisk)宣布调高本季财测,也看好后市发展。
存储原厂 |
三星电子 | 54600 | KRW | -1.62% |
SK海力士 | 184400 | KRW | +3.89% |
铠侠 | 1823 | JPY | -0.55% |
美光科技 | 77.770 | USD | +1.07% |
西部数据 | 43.950 | USD | +0.21% |
闪迪 | 32.590 | USD | +1.49% |
南亚科 | 35.80 | TWD | -0.56% |
华邦电子 | 16.00 | TWD | +1.59% |
主控厂商 |
群联电子 | 453.0 | TWD | +1.23% |
慧荣科技 | 50.330 | USD | +1.68% |
联芸科技 | 41.35 | CNY | +1.95% |
点序 | 55.6 | TWD | +0.36% |
国科微 | 68.93 | CNY | -0.68% |
品牌/模组 |
江波龙 | 77.91 | CNY | +3.33% |
希捷科技 | 90.010 | USD | -1.12% |
宜鼎国际 | 233.5 | TWD | +0.21% |
创见资讯 | 101.0 | TWD | +1.00% |
威刚科技 | 85.8 | TWD | +2.51% |
世迈科技 | 16.910 | USD | -0.94% |
朗科科技 | 25.09 | CNY | +4.24% |
佰维存储 | 62.33 | CNY | +1.32% |
德明利 | 127.50 | CNY | +0.73% |
大为股份 | 14.18 | CNY | +2.09% |
封测厂商 |
华泰电子 | 32.10 | TWD | +0.63% |
力成 | 108.5 | TWD | 0.00% |
长电科技 | 33.43 | CNY | +1.24% |
日月光 | 139.5 | TWD | +2.95% |
通富微电 | 25.62 | CNY | +0.99% |
华天科技 | 9.28 | CNY | -5.31% |
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