下游客户采购意愿仍低,上游供应商也持续小幅调低主流 MLC NAND Flash 合约价, 7 月上旬主流的 MLC NAND Flash 合约价大致呈现小幅下跌约 1% 到 5%
年中库存盘点,导致上周NAND闪存现货市场需求下降,整体价格保持稳定;DRAM上周交易仍然有限,需求疲弱
NAND闪存的现货市场上周( 6月22-26段)持续疲弱,市场焦点主要集中在英特尔的34nm芯片,而合约价大致呈现持平或小跌的情况,近期NAND Flash市场呈现胶着盘整的状态。
DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%,唯成交反应清淡;季底效应与淡季因素,NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势
Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未来DRAM之发展
全球DRAM业第一季受到价格下滑与减产影响,季营收较上季下滑逾二成,市场占有率仍以韩国三星、海力士分居前两名
由于供应商控货,加上客户以及中国手机市场需求, 4月下旬主流 MLC NAND Flash(储存型快闪记忆体) 合约均价大致上涨 8-18% ,预期5月上旬主流的NAND Flash MLC 合约均价可望再上涨约 5% 以上。
DDR2 1Gb eTT颗粒价格自2月20日大涨逾10%至0.96美元后,经过短暂的持平走势,上周(02/24-03/02)颗粒价格再次呈现下滑的走势
存储原厂 |
三星电子 | 71800 | KRW | +1.84% |
SK海力士 | 256500 | KRW | -2.10% |
铠侠 | 2364 | JPY | +2.78% |
美光科技 | 118.930 | USD | +6.31% |
西部数据 | 74.850 | USD | +0.55% |
闪迪 | 44.360 | USD | +9.02% |
南亚科技 | 43.95 | TWD | +4.15% |
华邦电子 | 17.45 | TWD | +5.76% |
主控厂商 |
群联电子 | 532 | TWD | +1.72% |
慧荣科技 | 76.185 | USD | +2.26% |
联芸科技 | 45.04 | CNY | +1.65% |
点序 | 53.4 | TWD | +1.14% |
品牌/模组 |
江波龙 | 88.48 | CNY | -0.03% |
希捷科技 | 149.575 | USD | +1.00% |
宜鼎国际 | 248.0 | TWD | +6.21% |
创见资讯 | 93.0 | TWD | -2.52% |
威刚科技 | 92.8 | TWD | +2.32% |
世迈科技 | 23.340 | USD | +2.19% |
朗科科技 | 23.73 | CNY | -2.98% |
佰维存储 | 62.93 | CNY | -3.36% |
德明利 | 89.64 | CNY | +1.99% |
大为股份 | 18.26 | CNY | -3.23% |
封测厂商 |
华泰电子 | 40.15 | TWD | +4.83% |
力成 | 122.0 | TWD | 0.00% |
长电科技 | 34.60 | CNY | -1.65% |
日月光 | 149.0 | TWD | +0.68% |
通富微电 | 26.80 | CNY | -2.72% |
华天科技 | 10.01 | CNY | -2.15% |
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