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2009年第27周 34nm降价压制整体现货价 合约均价持平或小跌

34nm降价压制整体现货价 合约均价持平或小跌

发布于:2009-06-29 14:00

NAND闪存的现货市场上周( 6月22-26段)持续疲弱,市场焦点主要集中在英特尔的34nm芯片,而合约价大致呈现持平或小跌的情况,近期NAND Flash市场呈现胶着盘整的状态。

2009年第26周 DRAM反应清淡 flash回软

DRAM反应清淡 flash回软

发布于:2009-06-22 11:36

DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%,唯成交反应清淡;季底效应与淡季因素,NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势

2009年第25周 NAND平稳,DRAM现货价跌

NAND平稳,DRAM现货价跌

发布于:2009-06-15 12:17

NAND flash 市场上周价格整体表现平稳整,体需求较弱,买气不足;DRAM上周现货市场价格急剧下跌

2009年第24周 Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未

Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未

发布于:2009-06-10 11:15

Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未来DRAM之发展

2009年第20周 DRAM首季市占率南科增、力晶减

DRAM首季市占率南科增、力晶减

发布于:2009-05-12 09:13

全球DRAM业第一季受到价格下滑与减产影响,季营收较上季下滑逾二成,市场占有率仍以韩国三星、海力士分居前两名

2009年第18周 继续涨 4月下旬Flash合约价涨8%至18%

继续涨 4月下旬Flash合约价涨8%至18%

发布于:2009-04-29 10:23

由于供应商控货,加上客户以及中国手机市场需求, 4月下旬主流 MLC NAND Flash(储存型快闪记忆体) 合约均价大致上涨 8-18% ,预期5月上旬主流的NAND Flash MLC 合约均价可望再上涨约 5% 以上。

2009年第10周 DDR2 1Gb eTT现货颗粒价格上周下跌逾10%

DDR2 1Gb eTT现货颗粒价格上周下跌逾10%

发布于:2009-03-04 18:29

DDR2 1Gb eTT颗粒价格自2月20日大涨逾10%至0.96美元后,经过短暂的持平走势,上周(02/24-03/02)颗粒价格再次呈现下滑的走势

2009年第9周 DRAM 现货颗粒价格上周上涨逾10%,二月下旬合约价格表现持平

DRAM 现货颗粒价格上周上涨逾10%,二月下旬合约价格表现持平

发布于:2009-02-27 09:50

DRAM :现货颗粒价格上周上涨逾10%,二月下旬合约价格表现持平

2009年第8周 【每周行情】NAND Flash产业的营收结构分析

【每周行情】NAND Flash产业的营收结构分析

发布于:2009-02-20 13:42

4Q08 在金融风暴的影响下,使得传统旺季需求出现远不如预期的情况,迫使 NAND Flash供货商在业绩及库存的双重压力下,而采取了持续降价的策略来去化库存及刺激买气,因此4Q08 NAND Flash ASP约比3Q08下跌32% QoQ...

股市快讯 更新于: 05-03 16:41,数据存在延时

存储原厂
三星电子77600KRW-0.51%
SK海力士173200KRW-0.23%
美光科技112.330USD+2.40%
英特尔30.510USD+0.46%
西部数据69.720USD-1.12%
南亚科65.8TWD-1.2%
主控供应商
群联电子710TWD+1.28%
慧荣科技73.400USD+2.37%
美满科技66.670USD+4.47%
点序78.7TWD-0.63%
国科微51.27CNY+1.38%
品牌/模组
江波龙96.27CNY-3.05%
希捷科技86.290USD+0.56%
宜鼎国际287.5TWD-0.35%
创见资讯94.5TWD+0.21%
威刚科技104TWD+2.97%
世迈科技18.510USD+2.72%
朗科科技25.37CNY-1.28%
佰维存储52.14CNY-0.80%
德明利103.64CNY+2.05%
大为股份11.09CNY-1.42%
封装厂商
华泰电子61.7TWD-1.75%
力成170TWD-0.29%
长电科技25.77CNY-1.64%
日月光148TWD+2.42%
通富微电20.98CNY-1.13%
华天科技8.19CNY+0.49%