SD协会日前公布SD Express存储卡的最近进展，首次将micro SD Express存储的传输速度提升到了2GB/s，为原来的两倍。并且增加了4个新的SD Express速度等级，以保证在新的SD9.1规范下达到具有保证的最低连续性能。

CFexpress 4.0是一项演进规范，继承了 CFexpress 2.0 的巨大成功，采用行业标准PCI Express® (PCIe) Gen4 总线和 NVM Express (NVMe) 1.4c 逻辑接口，实现更高的性能和高效的 NAND 闪存访问。

在NAND Flash的众多特性里，其中读干扰（Read Disturb）表现为如果对NAND闪存中某个位置进行多次读取，会对同一个块中其它未操作的页造成干扰（数据误码率会越来越高），这种特性的影响程度和读取次数、NAND闪存...

此更新的技术规范扩展了USB4速度和数据协议性能，使制造商能够开发除现有USB 40 Gbps和USB 20 Gbps外，还可以向最终用户提供USB 80 Gbps的产品。

2.0 版惊人的速度归功于已添加到 USB4 的新物理层架构。2.0 版使用了 USB4 Type-C 中内置的现有 40 Gbps 无源电缆，并添加了新定义的 80Gbps USB Type-C 有源电缆以达到 80 Gbps。

AMD、英特尔、美光、Montage、三星和 SK 海力士均已认可JESD79-5A规范引入的DDR5新增功能。

PIM技术指直接在内存中处理数据，而不是把数据从内存读取到CPU中再进行处理。这样可以最大限度地减少数据传输量，帮助克服上述瓶颈。

JESD209-5B 的新 LPDDR5X 组件是一个可选扩展，旨在提供更高的带宽和简化的架构以支持增强的 5G 通信性能，专为从汽车到高分辨率增强现实/虚拟现实和使用 AI 的边缘计算的应用而设计。

三星176层产品与SK海力士和西部数据/铠侠最新产品相比，虽然容量密度并非最优，却在写入性能及I/O速度上较为优异，各家产品各有长短。

未来，CIS 有望发展成为一种支持高级附加功能的信息传感器，而不仅限于提升图像质量。