权威的存储市场资讯平台English

回到首页 当前位置:技术知识

SD协会日前公布SD Express存储卡的最近进展,首次将micro SD Express存储的传输速度提升到了2GB/s,为原来的两倍。并且增加了4个新的SD Express速度等级,以保证在新的SD9.1规范下达到具有保证的最低连续性能。

CompactFlash 协会宣布 CFexpress 4.0 逻辑和物理规范

编辑:AVA 发布:2023-08-28 16:41

CFexpress 4.0是一项演进规范,继承了 CFexpress 2.0 的巨大成功,采用行业标准PCI Express® (PCIe) Gen4 总线和 NVM Express (NVMe) 1.4c 逻辑接口,实现更高的性能和高效的 NAND 闪存访问。

嵌入式eMMC存储读干扰应对方案

编辑:AVA 发布:2023-08-01 14:56

在NAND Flash的众多特性里,其中读干扰(Read Disturb)表现为如果对NAND闪存中某个位置进行多次读取,会对同一个块中其它未操作的页造成干扰(数据误码率会越来越高),这种特性的影响程度和读取次数、NAND闪存...

USB-IF 发布 USB4 版本 2.0 规范,可实现80 Gbps性能

编辑:AVA 发布:2022-10-19 14:18

此更新的技术规范扩展了USB4速度和数据协议性能,使制造商能够开发除现有USB 40 Gbps和USB 20 Gbps外,还可以向最终用户提供USB 80 Gbps的产品。

USB 4版本2.0发布:带宽由40 Gbps翻倍至80 Gbps

编辑:AVA 发布:2022-09-02 16:27

2.0 版惊人的速度归功于已添加到 USB4 的新物理层架构。2.0 版使用了 USB4 Type-C 中内置的现有 40 Gbps 无源电缆,并添加了新定义的 80Gbps USB Type-C 有源电缆以达到 80 Gbps。

AMD、英特尔、美光、Montage、三星和 SK 海力士均已认可JESD79-5A规范引入的DDR5新增功能。

PIM技术在人工智能应用的前景

编辑:AVA 发布:2021-10-25 16:19

PIM技术指直接在内存中处理数据,而不是把数据从内存读取到CPU中再进行处理。这样可以最大限度地减少数据传输量,帮助克服上述瓶颈。

JESD209-5B 的新 LPDDR5X 组件是一个可选扩展,旨在提供更高的带宽和简化的架构以支持增强的 5G 通信性能,专为从汽车到高分辨率增强现实/虚拟现实和使用 AI 的边缘计算的应用而设计。

三星176层3D NAND性能参数大揭秘

编辑:AVA 发布:2021-07-01 10:38

三星176层产品与SK海力士和西部数据/铠侠最新产品相比,虽然容量密度并非最优,却在写入性能及I/O速度上较为优异,各家产品各有长短。

图像传感器的视觉演变与创新

编辑:AVA 发布:2020-10-28 16:34

未来,CIS 有望发展成为一种支持高级附加功能的信息传感器,而不仅限于提升图像质量。

股市快讯 更新于: 11-30 19:57,数据存在延时

存储原厂
三星电子72800KRW+0.14%
SK海力士133900KRW+2.68%
美光科技76.69USD+0.75%
英特尔44.94USD+1.61%
西部数据47.32USD+0.92%
南亚科75TWD+1.08%
主控供应商
群联电子483.5TWD+1.26%
慧荣科技59.07USD-0.22%
美满科技56.10USD+0.94%
点序121.5TWD-0.41%
国科微61.40CNY-1.76%
品牌/模组
江波龙92.99CNY-1.11%
希捷科技78.48USD+1.99%
宜鼎国际312TWD+0.32%
创见资讯83.3TWD+0.36%
威刚科技100TWD+1.11%
世迈科技16.80USD+1.08%
朗科科技39.00CNY-4.88%
佰维存储66.30CNY-1.49%
德明利92.11CNY+0.24%
大为股份14.82CNY-3.45%
封装厂商
华泰电子59.3TWD+1.72%
力成112TWD0%
长电科技30.54CNY-0.78%
日月光128TWD+0.79%
通富微电22.70CNY+0.40%
华天科技8.94CNY-2.19%