三星电子即将加开芯片生产线

发布于：2010-04-06 来源：中国闪存市场

根据报导指出，三星电子(Samsung Electronics)为了因应半导体业看好的景气，将在其Hwaseong厂房增加1条新的芯片生产线，并在5月举行该生产线启用典礼。

软实力决定IT未来　三星行不行？

发布于：2010-04-06 来源：中国闪存市场

据报导，尽管三星电子(Samsung Electronics)已经是全球数一数二的电子业大厂，但是产业观察家仍怀疑三星是否能够在以软件能力为竞争要素的新时代中胜出。

威刚去年每股纯益10.67元

发布于：2010-04-01 来源：中国闪存市场

记忆体模组厂威刚(3260)31日公布去年经会计师核阅后年度财报，全年营收348.44亿元，毛利率9.44%，税后纯益21.59亿元，每股纯益10.67元。

海力士将和美光谈与恒忆的大陆合资厂

发布于：2010-04-01 来源：中国闪存市场

报导，全球第2大存储器厂商海力士(Hynix)表示，目前全球存储器市场仅能满足60%的需求，海力士有可能会重新审视资本支出计画，此外，海力士将和存储器大厂美光(Micron) 讨论先前海力士与恒忆(Numonyx)在大陆拥有的...

中芯挺进45奈米 有利台积在大陆开拓制程优势

发布于：2010-03-31 来源：中国闪存市场

大陆晶圆代工龙头业者中芯国际宣布，自行布局的低漏电(LL)45奈米技术，已顺利在其上海12吋晶圆厂内成功通过生产制程认证及SRAM产品认证，且其32兆、位元单位为0.299 um2的SARM生产良率已高于85%。

中芯45奈米技术通过工艺及SRAM产品认证ADR飙涨10%

发布于：2010-03-31 来源：中国闪存市场

中芯国际于香港时间30日下午6时58分公布，其低漏电(LL)45奈米技术在位于上海的12吋晶圆厂内已成功通过工艺认证及SRAM产品认证，其32兆、位元单元为0.299 um2的SRAM良率高于85%。中芯国际ADR 30日闻讯大涨10.07%，...

安国SD3.0记忆卡控制晶片验证完成

发布于：2010-03-31 来源：中国闪存市场

安国国际科技宣布，其SD3.0记忆卡控制芯片解决方案已完成样品验证。此外，该公司也正与客户进行相关系统环境及兼容性测试，将配合客户需求进行量产。

获原厂东芝力挺 弘忆Q2业绩季增逾一成

发布于：2010-03-30 来源：中国闪存市场

IC零组件通路商弘忆国际(3312)在日系原厂东芝为其带进新的供货客户，加上在代理产品线亦给予其充分的支援下，弘忆Q2营收仍可望至少季增一成、持续淡季不淡，甚至全年度业绩成长动能也将因此而转趋显著。

中芯案下一步　台积电拟提松江厂升级0.13微米

发布于：2010-03-30 来源：中国闪存市场

日前政府放宽晶圆代工登陆标准后，台积电已于日前向投审会递件申请入股中芯国际，预计取得中芯国际约10%股权，目前仍待投审会审核中。至于台积电大陆松江厂0.13微米升级申请案，预计将是该公司下一步的动作。

劲永推出USB3.0 2.5”外接式硬碟 全球首卖

发布于：2010-03-29 来源：中国闪存市场

劲永国际(6145) USB3.0 2.5”外接式硬碟H566正式上市，为全球第一款已开始销售的USB3.0 2.5” 外接式硬碟。