DRAM减产效应仍在 力成Q4营运受影响

发布于：2011-10-03 来源：中国闪存市场

全球DRAM龙头厂三星电子日前也坦言，PC DRAM产能已将降至30%，日、台系DRAM厂也纷纷投入减产行列。在客户减产效应影响下，存储器封测大厂力成(6239)第四季的营运表现仍将受到影响，法人预估将低于第三季的水平。

创见参加博彩展 展出全系列工业用内存产品

发布于：2011-09-30 来源：中国闪存市场

全球规模最大的美国全球国际博彩展览会(G2E)将于2011年10月4日至6日于拉斯韦加斯登场，创见(2451)将于现场展出全系列工业用内存产品，包括内存模块、工规记忆卡、工业用固态硬盘(SSD)、闪存模块等，以吸引全球专...

订单能见度到11月上旬 群联Q4展望正面看待

发布于：2011-09-30 来源：中国闪存市场

NAND Flash控制IC设计群联(8299)董事长潘健成表示，虽然全球经济景气仍有杂音，但先前NAND Flash的跌价已经刺激需求回笼，也使得目前报价回稳，目前客户的拉货意愿仍高，订单能见度也看到11月上旬，对于第四季营...

美光第四季净亏1.35亿美元 受PC市场疲软拖累

发布于：2011-09-30 来源：中国闪存市场

美光科技只有4年实现了盈利，该公司目前与世界第二大芯片制造商三星(微博)电子竞争激烈。近年来，美光科技也像三星电子和东芝(微博)一样进军NAND闪存芯片市场，降低了对DRAM芯片的依赖。

第4季传统淡季来临 京元电保守看待营运

发布于：2011-09-30 来源：中国闪存市场

时序即将进入第4季，京元电表示，半导体测试业下半年没有旺季，该公司第3季营运将比第2季稍微好转，但是第4季又会比第3季差。2012年第1季因工作天数的因素，可能再往下探，预计第2季才会逐渐好转。

行动应用正夯 三星推出30奈米4G LPDDR3

发布于：2011-09-29 来源：中国闪存市场

全球内存龙头厂三星电子宣布，成功研发30奈米制程4Gb LPDDR3(Low Power Double Date Rate 3)，技术制程大幅领先同业1-2个世代。

三星电子行动解决方案论坛登场 推5款新产品

发布于：2011-09-29 来源：中国闪存市场

韩国半导体大厂三星电子今日于台北举行第八届年度三星行动解决方案论坛，并宣布推出5款全新科技与装置，为次世代行动应用程序带来更强化的解决方案。

三星半导体事业2012年首重系统芯片

发布于：2011-09-27 来源：中国闪存市场

据报导，三星电子(Samsung Electronics) 2012年在系统芯片的投资额将高于存储器芯片，这是三星展开半导体事业后，首度出现对系统芯片的投资规模大于存储器事业的情况。三星计划将系统LSI事业也培育成一流的事业。

李健熙：三星随时因应半导体业掀起的巨浪

发布于：2011-09-26 来源：中国闪存市场

据韩国电子新闻报导，三星电子(Samsung Electronics)会长李健熙出席16产线20纳米半导体启动生产典礼时，提及三星应全力以赴，因应半导体业界随时可能掀起的巨浪。而每当李健熙提出危机论时，总是能使三星集团出现...

三星全球最大存储器晶圆厂开始量产

发布于：2011-09-23 来源：中国闪存市场

三星电子(Samsung Electronics)打造号称全球最大的存储器晶圆厂，并开始量产20纳米世代的DDR 3 DRAM存储器，华尔街日报(WSJ)称此举将不利于台厂。