三星NAND新厂投入营运 20奈米级DRAM开始量产

发布于：2011-09-22 来源：中国闪存市场

三星电子 (005930-KR) 周四宣布，设在南韩的 NAND 快闪记忆芯片新厂正式投入营运。该公司同时表示，已启动 20 奈米级制程的 DDR3 DRAM 量产，可望提高生产效率并降低能源消耗。

SK电信成海力士股权仅存潜在买家

发布于：2011-09-20 来源：中国闪存市场

在韩国造船集团STX Group宣布放弃竞标海力士半导体(Hynix Semiconductor)20%的股权后，该国最大手机业者SK Telecom成为仅存的唯一潜在买家。

SanDisk全系列影像储存记忆新品将上市

发布于：2011-09-16 来源：中国闪存市场

全球快闪记忆卡领导厂商SanDisk，即将于9月22日在台湾一口气推出5项新产品，包括数字相机记忆卡、手机/平板计算机用Mirco记忆卡、安全机制创新USB随身碟、超轻薄SSD固态硬盘以及全新数字储存工具产品线。

尔必达找伴 力成跟着进补

发布于：2011-09-16 来源：中国闪存市场

尔必达（Elpida）有意转移约四成产能至台湾，将让沉寂已久的DRAM产业再度“动起来”，不仅瑞晶有更充裕的练兵空间，力成等相关协力厂，业绩也有望吞下大补丸。

群联Q3营运有望高于预期 股价奔涨停

发布于：2011-09-15 来源：中国闪存市场

近期NAND FLASH价格来到合理区间，推升客户下单力道，市场传控制IC群联(8299-TW)第 3 季营运可望优于原先预期的10%区间，逼近15%附近左右， 9 月营收可望冲今年次高，激励群联今(15)日股价反应利多，早盘直奔涨停...

威刚推出新款固态硬盘 平均读写速度快2倍

发布于：2011-09-13 来源：中国闪存市场

威刚(3260-TW)继5月份推出S511 SATAⅢ固态硬盘后，再度宣布推出以SATA III (6Gb/sec)为接口的S510 SSD固态硬盘120GB容量款式，除了强调高效能速率，平均读写速度为SATA II 固态硬盘的2倍外，同时也有价格竞争优势

创见8月营收24.8亿元 小幅下滑1.59%

发布于：2011-09-09 来源：中国闪存市场

在产品营收方面，NAND Flash产品营收贡献15.5 亿元，占整体营收比重62.5%；DRAM 产品营收为3.9 亿元，占整体营收比重15.36%；策略性产品营收为5.4 亿元，占整体营收比重21.77%。

京元电：未感受旺季需求 Q4不乐观

发布于：2011-09-06 来源：中国闪存市场

晶圆测试专业厂京元电(2499)总经理梁明成于会中表示，全球经济局势不明朗，终端消费需求疲软下，今年下半年半导体产业恐将出现负成长，全年则可能仅有零成长的表现，现在都还未感受到感恩节、圣诞节前的旺季效应...

旺季效应显现 安国8月营收依然稳步成长

发布于：2011-09-05 来源：中国闪存市场

安国在旺季需求增温下，不论是NAND Flash控制芯片出货成长之外，新产品PC CAM控制芯片也同步向上，因此带动8月营收持续回升。

三星全球产线同步采28纳米技术生产半导体芯片

发布于：2011-09-01 来源：中国闪存市场

三星电子(Samsung Electronics)与半导体晶圆代工大厂全球晶圆(Global Foundries)将扩大28纳米技术合作关系。三星于9月1日表示，将与全球晶圆合作，同步以高性能、超省电HKMG 28纳米制程生产半导体芯片。