三星宣布量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM

发布于：2017-12-20 来源：中国闪存市场

12月20日，三星宣布已开始量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM，并持续扩大整体10nm级DRAM的生产，有助于满足全球不断飙升的DRAM芯片需求，继续加强三星市场竞争力。

美光2018财年Q1财报：净利润26.8亿美元，同比暴涨14倍

发布于：2017-12-20 来源：中国闪存市场

12月19日，美光科技发布了截至2017年11月30日的2018财年Q1（9月-11月）财报：按照GAAP会计准则，Q1营收为68亿美元，同比增长71%，环比增长11%，净利润26.8亿美元，同比增长14倍，环比增长13.1%，每股平均收益2.19...

美光推MX500 SSD：采用64层3D TLC NAND

发布于：2017-12-20 来源：快科技

美光正式发布了旗下的Crucial MX500系列SSD，其最大的特色就是采用了64层3D TLC NAND，这是美光首次在消费类产品中采用这类闪存。

传三星明年强攻系统单芯片与晶圆代工

发布于：2017-12-18 来源：MoneyDJ

传三星新任设备解决方案部门总裁金奇南（Kim Ki-nam）已选定系统单芯片与晶圆代工作为发展主轴。

双镜头、DRAM成本拉高，三星Galaxy S9单价或创新高

发布于：2017-12-18 来源：DIGITIMES

传闻三星电子(Samsung Electronics)即将在2018年初发布的Galaxy S9+智能型手机将采用双镜头相机模块与其它更高规格硬件，因此Galaxy S9+恐将成为Galaxy S系列中售价最高的机种。

东芝发声明称旗下FlashAir™存储卡存在安全漏洞

发布于：2017-12-18 来源：东芝

东芝存储公司（Toshiba Memory Corporation）发布告客户书，声明称FlashAir™ SDHC/SDXC存储卡已确定存在潜在的WPA2无线局域网协议安全漏洞。此漏洞与用于加密数据的密钥信息的生成和管理有关。

外媒：中国对东芝出售Memory业务展开反垄断调查

发布于：2017-12-15 来源：凤凰科技

据路透社北京时间12月15日报道，《日经亚洲评论》星期五刊文称，中国监管机构已经启动对东芝出售Memory业务的交易展开调查，可能会推迟这一交易的完成时间。

东芝西部数据终和解 TMC重新出发

发布于：2017-12-15 来源：DIGITIMES

东芝(Toshiba)与西部数据(WD)的存储器事业风波，从2017年2月14日东芝宣布将其存储器事业出售，5月14日西部数据谈判不成提出国际仲裁，至12月13日，双方终于公开宣告和解，让事件落幕，东芝存储器(TMC)可以继续筹...

西数会议：已交付96层3D NAND产品，2D转3D过程很繁琐

发布于：2017-12-15 来源：超能网

前两天西部数据召开了一个会议，主要讨论关于与东芝合作的各项协议细则，而西部数据在会议上还报告了BiCS 3和BiCS 4 3D NAND的生产状况。之前西部资料制定过一个目标，希望今年采用BiCS 3技术生产的64层3D NAND能...

东芝与西部数据达成和解，未来将加强闪存合作

发布于：2017-12-13 来源：中国闪存市场

12月13日，东芝宣布已与西部数据就持续半年多的诉讼纠纷和仲裁达成和解。未来将加强和扩大闪存( Flash Memory)事业合作关系。