三星启动平泽厂第二阶段投资，将主要用于生产DRAM

发布于：2017-12-04 来源：中国闪存市场

据etnews报道，三星开始对位于平泽二楼进行第二阶段投资，将主要用于是生产DRAM，目前三星平泽厂二楼约一半面积的无尘室建设已进入最后阶段，并已开始接受三星主要合作伙伴的订单。

美光任命Derek Dicker为存储事业部副总裁兼总经理

发布于：2017-12-01 来源：中国闪存市场

2017年11月30日，美光宣布任命Derek Dicker为存储事业部副总裁兼总经理。今后Dicker将负责领导和扩大美光SSD业务，包括建立世界级的存储解决方案，扩大诸如云计算、企业级和客户端计算等大型市场领域的增长率，他...

东芝推出基于64层3D BiCS的XG5-P NVMe SSD

发布于：2017-11-30 来源：中国闪存市场

东芝11月30日推出基于64层3D BiCS FLASH 的XG5-P NVMe SSD系列。该系列在当前XG5系列基础上提高了性能，同时将最大容量扩大至2TB。现已送样给OEM客户，将在2018年第一季度增加出货量。

东芝西部数据官司仲裁案 明年3月将有初步判决

发布于：2017-11-30 来源：DIGITIMES

东芝存储器(TMC)虽然已经决定买家，但东芝(Toshiba)与西部数据(WD)的官司仍持续，由于西部数据在2017年5~6月接连对东芝提出国际仲裁与官司，因此东芝也在东京地方法院反诉西部数据毁损商誉，在2017年11月29日东京...

东芝推出采用64层3D BICS的UFS2.1产品

发布于：2017-11-29 来源：中国闪存市场

东芝11月29日宣布采用64层3D BICS Flash芯片的UFS2.1产品开始送样。新的UFS产品满足高速读写和低功耗应用的性能需求，包括移动设备如智能手机和平板电脑，以及VR/AR设备。

传三星考虑在华城厂打造10nm级DRAM产线 2019年初投产

发布于：2017-11-29 来源：DIGITIMES

传三星电子(Samsung Electronics)有意在韩国华城厂区内建设极紫外光(EUV)曝光设备专用产线，2019年初生产10nm级(1z)制程DRAM，尽可能在DRAM市场与竞争对手维持技术差距，并且获取最大利益。

Marvell 2018财年Q3财报：存储业务占总营收的51%

发布于：2017-11-29 来源：中国闪存市场

Marvell公布截止至2017年10月28日的2018财年Q3财报：营收6.16亿美元，高于预期，同比下滑1.2%，环比增长1.9%。净利润2亿美元，同比增长175.7%，环比增长21.1%。前三季度合并净利润4.7亿美元，同比增长366%。

三星第二代10nm FinFET工艺进入量产

发布于：2017-11-29 来源：中国闪存市场

三星电子11月29日宣布其代工业务已开始大量生产基于第二代10nm FinFET 10LPP工艺的系统芯片（SOC）的产品。计划2018年初推出应用于数字设备的基于10LPP工艺的SoC芯片。

建兴推出EPX系列M.2 NVMe SSD

发布于：2017-11-27 来源：Techpowerup

建兴推出采用PCI-Express 3.0 x4的M.2-22110外形的EPX系列企业级高性能固态硬盘，并支持NVMe 1.2规范。该固态硬盘拥有960GB和1920GB的容量，并具有主动断电保护机制。

传三星晶圆代工新客户快到手 新厂下月动工

发布于：2017-11-24 来源：MoneyDJ

韩媒etnews 24日报导，业界消息指出，三星电子正与两家大型半导体业者商讨7nm的晶圆代工订单，一家是美国业者、另一家是中国业者。