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三星量产1Tb QLC第九代V-NAND,存储密度提升约86%

发布于:2024-09-12 来源:CFM闪存市场

三星电子计划将QLC第九代V-NAND的应用范围从品牌消费类产品开始,逐步扩展到移动通用闪存(UFS)、个人电脑和服务器SSD,为包括云服务提供商在内的客户提供服务。

群联电子8月合并营收48.06亿元(新台币,下同),同比增长20.43%,环比增长2.11%;累计1-8月营收419.32亿元,同比增长53%,为历史同期次高。

其中,8月封测及材料业务营收291.75亿元,环比增长6.3%、同比增长2.4%,占8月整体营收的55.12%。

此次新产品采用的第五代PCIe带宽比现有第四代(Gen4)高一倍,PEB110的数据传输速度达到了32GTs(千兆传输/秒)。由此,PEB110的性能较上一代产品提升一倍,能效提升了30%以上。

对于未来展望,华邦电子表示,NOR接近供需平衡的状态预计将持续今年全年,上半年各渠道的SLC NAND存货需要时间消化;预计2025年供需将吃紧;强劲的AI需求使主要供货商专注于HBM和主流DRAM,利基型DRAM供应将减少...

展望后市,法人表示,京元电子掌握AI大客户订单,目前AI贡献营收比重已突破1成,受惠客户持续追单,看好下半年营收逐季向上。

威刚:8月营收环比基本持平,对DRAM市况维持乐观

发布于:2024-09-09 来源:CFM闪存市场

威刚表示,第3季营收有望维持稳定,在过去几季低价库存优势加持下,预计单季毛利率与营运绩效仍将维持不错表现。

美光量产12层堆叠36GB HBM3E:内存带宽1.2TB/s以上

发布于:2024-09-06 来源:CFM闪存市场

据CFM闪存市场了解,SK海力士预计将在9月底开始量产12层HBM3E,三星12层HBM3E芯片已完成量产准备,计划于今年下半年开始供货。

三星电子公布DDR发展路线图

发布于:2024-09-06 来源:CFM闪存市场

三星计划在2024年推出采用1c nm制程技术的DDR内存,该技术能够提供具有32Gb颗粒容量的产品。随后在2026年,三星将推出其最后一代10nm级工艺的1d nm DDR内存,同样提供最大32Gb的颗粒容量。

SK海力士未来将计划专注于最先进的HBM产品,希望将大部分产能集中在最新一代HBM上,同时逐步淘汰旧产品。

股市快讯 更新于: 07-19 00:01,数据存在延时

存储原厂
三星电子67100KRW+0.60%
SK海力士269000KRW-0.19%
铠侠2353JPY-2.53%
美光科技114.040USD+0.69%
西部数据67.960USD+1.40%
闪迪41.940USD+1.01%
南亚科技42.25TWD-1.97%
华邦电子17.65TWD-1.40%
主控厂商
群联电子509TWD-0.20%
慧荣科技73.420USD+0.36%
联芸科技42.01CNY+0.99%
点序53.4TWD-1.48%
品牌/模组
江波龙81.35CNY-2.25%
希捷科技149.505USD+1.90%
宜鼎国际226.5TWD-1.95%
创见资讯90.8TWD-1.09%
威刚科技91.9TWD-1.61%
世迈科技24.670USD-0.84%
朗科科技24.97CNY+4.78%
佰维存储63.09CNY-2.59%
德明利82.22CNY-1.73%
大为股份17.19CNY-0.58%
封测厂商
华泰电子38.25TWD0.00%
力成138.5TWD-0.72%
长电科技33.93CNY-0.09%
日月光154.0TWD+1.65%
通富微电25.96CNY-0.35%
华天科技9.99CNY+0.71%