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据日媒报道称，为抢攻AI数据中心需求，铠侠将在2026年利用岩手北上工厂开始生产第10代的NAND Flash，其堆叠数从现行第8代的218层增加至332层，每单位面积的存储容量提升59%、数据传输速度改善33%，能耗也会降低。

报道称，铠侠不会兴建新厂，而是采用今年9月投产的北上工厂第2厂房(K2)生产第10代NAND Flash。

铠侠、Sandisk 9月30日宣布，位于日本岩手县北上市的北上工厂第2厂房(K2)已开始进行投产。因AI普及、NAND Flash中长期需求看增，Fab2将生产第八代218层3D闪存，采用CBA（CMOS直接键合阵列）技术，并支持未来先进的3D闪存节点，以满足人工智能驱动的存储市场日益增长的需求。Fab2的产能将根据市场趋势逐步提升，预计将于2026年上半年实现量产。