vivo发布《关于vivo及iQOO 部分产品建议零售价调整的说明》称，受全球半导体及存储成本持续大幅上涨的影响，经慎重评估，vivo 将于2026年3月18日10:00起，调整部分产品的建议零售价，具体机型及价格以官方渠道商品详情页展示为准。

受新采购资源成本持续攀升影响，本周嵌入式eMMC、LPDDR4X价格全面上涨。值得关注的是，嵌入式产品价格大幅上涨正在重塑下游应用市场格局，存储厂商的客户结构也随之面临洗牌，未来其产品策略将更聚焦于机器人、无人机、3D打印、智能POS机等高价值应用领域。

LPDDR：LPDDR4X 96Gb 涨 30.43% 至 $120.00，LPDDR4X 64Gb 涨 20.00% 至 $90.00，LPDDR4X 48Gb 涨 16.39% 至 $71.00，LPDDR4X 32Gb 涨 28.89% 至 $58.00，LPDDR4X 16Gb 涨 25.00% 至 $30.00；

eMMC：eMMC 8GB 5.1 涨 20.00% 至 $18.00，eMMC 16GB 5.1 涨 18.75% 至 $19.00，eMMC 32GB 5.1 涨 29.41% 至 $22.00，eMMC 64GB 5.1 涨 21.05% 至 $23.00，eMMC 128GB 5.1 涨 10.71% 至 $31.00，eMMC 256GB 5.1 涨 16.00% 至 $58.00；

eMCP：eMCP(eMMC + LPDDR4X)64GB+32Gb 涨 26.56% 至 $81.00，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+32Gb 涨 21.92% 至 $89.00，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+48Gb 涨 14.61% 至 $102.00；

UFS：UFS 2.2 64GB 涨 25.00% 至 $25.00，UFS 2.2 128GB 涨 10.00% 至 $33.00，UFS 2.2 256GB 涨 15.38% 至 $60.00，UFS 2.2 512GB 涨 25.00% 至 $90.00；

uMCP：uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)4GB+128GB 涨 21.33% 至 $91.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)6GB+128GB 涨 14.29% 至 $104.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+128GB 涨 17.14% 至 $123.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+256GB 涨 18.11% 至 $150.00。

据外媒报道，美光已正式启动位于美国爱达荷州博伊西总部附近的新晶圆厂建设，用于生产尖端的HBM4（第六代）内存芯片。该工厂选址优越，并获得了美国商务部《芯片法案》补贴，预计将大幅缩短建设周期，目标是在2026年下半年实现量产。

小米集团合伙人、总裁、手机部总裁、小米品牌总经理卢伟冰近日表示，本轮存储涨价为长周期，预计将持续至 2027 年底，从 2025 年二季度到 2027 年底接近三年时间，这是史无前例的。此次涨价波及整个消费电子行业，所有厂商均受影响。卢伟冰称，尽管小米在手机、平板、电视、汽车等品类上内存需求巨大，但由于与全球五大存储供应商保持紧密合作，目前小米供应充足，未出现缺货情况。

美光科技宣布其位于印度古吉拉特邦萨南德的半导体封装测试工厂开业。这座工厂将来自美光全球制造网络的先进DRAM和NAND晶圆加工成成品存储器和存储产品。美光已向戴尔科技交付了首批印度制造的内存模块，用于戴尔面向印度市场推出的印度制造笔记本电脑。美光预计到 2026 年，萨南德工厂的芯片组装和测试量将达到数千万颗，并在 2027 年达到数亿颗。

德明利公布2025年年报：实现营业收入107.89亿元，同比增长126.07%；实现归母净利润6.88亿元，同比增长96.35%；实现扣非归母净利润6.68亿元，同比增长120.77%。其中，第四季度德明利营收41.30亿元，同比增长251.33%，环比增长61.96%；归母净利润7.154亿元，同比增长1105.46%，环比增长687.29%。截至2025年末，德明利存货金额达70.58亿元，占总资产比例为65.05%。

美国投资基金贝恩资本2月17日和2月19日出售约3900万股铠侠股票，按公司收盘价和每股售价计算，总价值约5500亿日元（约合35.1亿美元）。交易完成后，贝恩资本关联特殊目的公司（SPC）的总持股比例从44%降至37%。

SK海力士26日宣布，已与闪迪公司联合举办“HBF规格标准化联盟启动会”，正式发布面向AI推理时代的下一代存储器解决方案HBF（High Bandwidth Flash）的全球标准化战略。HBF不仅可提升AI系统的扩展能力，还能有效降低总体拥有成本（TCO）。业界普遍预测，以HBF为关键组件的整合型存储器解决方案，其市场需求将于2030年前后迎来全面扩张。

开普云2026年2月25日发布公告，宣布终止重大资产重组。该重组原计划通过支付现金的方式购买深圳市金泰克半导体有限公司持有的南宁泰克半导体有限公司70%股权、以发行股份的方式购买深圳金泰克持有的南宁泰克30%股权并募集配套资金。

鉴于瞬息万变的市场环境和不断上涨的存储成本，惠普维持2026财年的年度业绩指引，但预计实际业绩将更接近预期范围的下限。2025年11月，惠普曾表示存储及元器件成本占个人电脑物料成本的15%至18%；根据其最新预计，本财年这一比例将升至35%。

三星电子日前于ISSCC 2026上发布其LPDDR6研发成果，其最大传输速度可达14.4Gb/s。与上一代LPDDR5X（最大传输速度10.7Gb/s）相比，速度提升约35%。此外，三星电子着重提升了能效，与LPDDR5相比，LPDDR6读取功耗降低27%。在最低电压（0.97V）下，其传输速度可达12.8Gb/s，并通过结构优化，增强了在实际使用环境中的稳定性。LPDDR6预计将于今年下半年上市。

东芯股份于投资者平台回复提问称，目前看到在消费电子终端，随着客户对存储容量的需求逐步升级，部分场景存在使用SLC NAND Flash产品替代NOR Flash的趋势。

据韩媒报道，业内人士透露，三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，并进一步表示，基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度约为50%。

针对AI推理工作负载优化的SSD需求迅速攀升，而随着NL HDD供应状况趋紧，QLC SSD的替代需求也在不断上升。各存储原厂持续扩大Server SSD供应，以满足不断增长的需求，四季度全球NAND市场规模环比增长27.8%至235.45亿美元。

具体来看，三星四季度NAND Flash销售收入达63.51亿美元，环比增长18.4%，市场份额27.0%，排名第一；SK海力士四季度NAND Flash销售收入达52.12亿美元，环比增长47.4%，市场份额22.1%，排名第二；铠侠四季度NAND Flash销售收入达35.24亿美元，环比增长15.7%，市场份额15.0%，排名第三；西部数据四季度NAND Flash销售收入达30.25亿美元，环比增长31.1%，市场份额12.8%，排名第四；美光四季度（2025年9月-11月）NAND Flash销售收入达27.43亿美元，环比增长21.8%，市场份额11.6%，排名第五。

应用于服务器的高密度DDR5/LPDDR5X/HBM需求十分旺盛，而四季度DRAM仍存在较大供应缺口。尽管DRAM bit出货量增长受限但DRAM ASP大幅上涨，带动四季度DRAM市场规模环比增长29.8%。

具体来看，三星四季度DRAM销售收入达192.6亿美元，环比增长38.1%，市场份额为37.1%，排名第一；SK海力士四季度DRAM销售收入达172.24亿美元，环比增长24.9%，市场份额为33.1%，排名第二；美光四季度（2025年9月-11月）DRAM销售收入达108.12亿美元，环比增长20.3%，市场份额20.8%，排名第三；南亚科技四季度DRAM销售收入为9.72亿美元，环比增长54.3%，市场份额1.9%；华邦电子四季度DRAM销售收入为2.99亿美元，环比增长34.7%，市场份额0.6%。

据CFM闪存市场数据显示，2025年四季度全球DRAM/NAND Flash市场规模达755.1亿美元，环比增长29.2%，其中全球DRAM市场规模环比增长29.8%至519.65亿美元，NAND市场规模环比增长27.8%至235.45亿美元。全年来看，2025年全球DRAM/NAND Flash市场规模历史上首次突破2000亿，同比增长32.7%至2215.91亿美元。

2月12日，三星电子宣布，其HBM4已抢先开始量产，并向客户交付商用产品。三星的HBM4可提供高达每秒11.7 Gbps的稳定处理速度，比业界标准的8Gbps提升约46%，树立了HBM4性能的新标杆。三星预计其HBM产品销量在2026年将比2025年增长三倍以上，并正积极扩大HBM4的产能。在HBM4成功推向市场后，HBM4E的样品预计将于2026年下半年开始发放，而定制的HBM样品将根据客户的具体规格于2027年开始交付。

铠侠发布截至2025年12月31日的FY25Q3（2025年10-12月）财务业绩，营收5436亿日元(约合35.47亿美元)，环比增长21.3%，主要得益于平均销售价格（ASP）和bit出货量的提高；Non-GAAP下，营业利润为1447亿日元(约合9.44亿美元)，环比增长65.9%；Non-GAAP下归属于母公司所有者的利润为895亿日元（约合5.84亿美元），环比增长114.6%。

据三星电子首席技术官宋载赫透露，三星目前正在开发 zHBM，其核心是将 HBM​​ 堆叠成 3D 结构，有望在物理人工智能时代所需的带宽或能源效率方面带来另一项重大创新。

近日，英特尔首次公开其与软银子公司Saimemory共同研发的“Z-Angle Memory”（ZAM）内存原型，采用错位互连拓扑结构（staggered interconnect topology），在芯片堆叠内部实现对角线走线。英特尔称，这种架构设计能从物理层面有效解决现有内存解决方案面临的散热瓶颈，并大幅优化计算性能。据悉，其功耗相比现有方案降低40% 至 50%，单芯片存储容量最高可达 512GB。

CFM闪存市场最新数据显示，DDR5 64GB合约价格落在820至950美元区间，DDR5 96GB合约价格落在1310至1600美元区间，DDR5 128GB落在2100至2400美元区间，相比上季度价格涨幅高达80%-120%。而服务器DDR5内存条现货价格相对于合约价更高，服务器64GB/96GB/128GB DDR5内存条现货价格分别在2200至2500美金、3800至4000美金、4200至4300美金之间。

今日Flash Wafer价格全面上涨，1Tb QLC、1Tb TLC、512Gb TLC、256Gb TLC价格分别调涨至24.00/25.00/20.00/11.00美元，与11月初相比，近一个季度涨幅均高达两倍左右。

南亚科技公布2026年1月营收153.10亿元新台币，环比增长27%，同比大增608%，创历史新高。市场需求复苏是推升1月营收创高的主要动力。

慧荣科技2025年第四季营收2亿7,846万美元，较前一季成长15%，与前一年同期相比大幅成长46%；毛利率49.2%，税后净利4,271万美元。2025年全年营收8亿8,563万美元，同比成长10%；毛利率从2024年的46%提升到48.3%；税后净利达1亿1千982万美元，每单位稀释之美国存托凭证盈余3.55美元。

据韩媒报道，被誉为“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）金正浩教授近日表示，仅靠HBM难以应对人工智能的快速发展，需要更大容量的新型存储器，垂直堆叠的NAND闪存HBF是能够应对人工智能发展的下一代存储器，并预测其商业化后10年内市场规模将超越HBM。

2025年，规模以上电子信息制造业累计实现出口交货值同比持平。12月份，规模以上电子信息制造业实现出口交货值同比增长1.2%。据海关统计，我国出口笔记本电脑1.33亿台，同比下降7.1%；出口手机7.51亿台，同比下降7.7%；出口集成电路3495亿个，同比增长17.4%。

据工信部最新数据显示，2025年，我国规模以上电子信息制造业增加值同比增长10.6%，增速分别比同期工业、高技术制造业高4.7个和1.2个百分点。12月份，规模以上电子信息制造业增加值同比增长11.8%。主要产品中，手机产量15.4亿台，同比下降5.8%，其中智能手机产量12.7亿台，同比下降0.9%；微型计算机设备产量3.32亿台，同比下降2.9%；集成电路产量4843亿块，同比增长10.9%。

闪迪公司公布2026 财年第二季度（2025 年 10-12 月）财务业绩：营收为 30.3 亿美元，同比增长 61%；营业利润 10.65 亿美元，同比增长 446%；净利润 8.03 亿美元，同比增长 672%。该财季，闪迪所有业务部门均实现显著增长，数据中心业务销售额达到 4.4 亿美元，环比增长 64%、同比增长 76%。

江波龙发布2025年业绩预告。预计2025年度营业收入225亿元至230亿元，同比增长29%-32%；净利润为12.5亿元至15.5亿元，同比增长150.66%至210.82%。报告期内，存储价格在一季度触底后企稳回升，三季度末因AI服务器需求爆发及原厂产能向企业级产品倾斜，导致供给进一步失衡，存储价格持续上涨。江波龙依托高端产品布局、海外业务拓展及自有品牌优势，上半年实现扭亏为盈，下半年盈利水平稳步提升，第四季度扣非净利润约为6.5亿元至8.7亿元。

铠侠与闪迪共同宣布，双方将铠侠位于四日市工厂的合资协议延长五年。该协议原定于2029年12月31日到期，现续签至2034年12月31日。双方将继续利用人工智能赋能的智能制造和规模经济，确保先进3D闪存的稳定生产。此外，铠侠北上工厂的合资协议与四日市工厂的协议一致，有效期至2034年12月31日。根据这项续签协议，闪迪将向铠侠支付11.65亿美元，用于支付制造服务和持续供货费用。这笔款项将在2026年至2029年期间分期支付。