长鑫科技发布2026年第三季度报告。2026年第三季度，公司实现营业收入1187.14亿元，同比增长613.18%，环比增长19.3%；归母净利润544.35亿元，环比增长约3.01%；扣非归母净利润552.37亿元，环比增长约5.31%；实现净利润约889.83亿元，环比增长约19.38%；毛利率为89.53%，较上季度增长约1.94个百分点。2026年前三季度，长鑫科技实现营业收入2690.24亿元，同比增长738.51%；归母净利润1320.4亿元；扣非归母净利润1340.3亿元。现金流方面，2026年前三季度，长鑫科技经营活动产生的现金流量净额为2547.51亿元，同比增长了1864.52%。长鑫科技称，主要系销售商品收到的现金同比增加。库存方面，截至期末，长鑫科技存货金额392.27亿元，较2025年末增长37.3%。

铠侠发布截至2026年9月30日的2026财年第二财季业绩：营收2.48 万亿日元（约合 157.7 亿美元），同比大增 453.2%，环比增长 40.3%。在盈利能力方面，Non-GAAP 营业利润达到 1.988 万亿日元（约合 126.4 亿美元），同比激增超21.8倍，环比增长49.9%；Non-GAAP 净利润达到 1.349 万亿日元（约合 85.8 亿美元），同比暴增 31.4 倍，环比增长 52.1%。各项指标均创下历史新高，且显著优于此前发布的业绩指引。分业务看，SSD 与存储业务营收达 1.616 万亿日元（约合100.4 亿美元），同比飙升 560.8%，环比增长 37.6%。其中，数据中心与企业级业务营收占比约 65%，受 AI 服务器旺盛需求拉动，SSD 出货量创下新高，高 ASP 产品组合进一步推高利润率；PC 及其他业务营收占比约 35%。智能设备业务营收达 7889 亿日元（约合 49.0 亿美元），同比增长 401.5%，环比增长 50.1%。销售价格显著上涨是该板块创纪录收入的主要驱动力。铠侠预计下一财季（2026 年 10-12 月）营收达 2.5 万亿日元（约合 158.9 亿美元），环比微增 1%；Non-GAAP 营业利润预计为 2 万亿日元（约合 127.1 亿美元），环比增长1%，利润率维持在 80% 的高位。

据韩媒zdnet报道，三星电子和SK海力士计划从2027年第二季度起，面向英伟达大规模量产并出货第六代高带宽内存HBM4的8层产品。目前，两家公司的HBM主力量产产品仍是HBM4 12层。

此次新增8层产品供应计划，与英伟达调整下一代AI加速器Rubin Ultra的内存配置有关。英伟达最初计划为Rubin Ultra搭载第七代HBM4E 12层产品，但自2026年第三季度起，开始并行评估多种方案，包括HBM4E 8层、HBM4 12层和HBM4 8层。

知情人士称，英伟达可能根据采用Rubin Ultra的NVL机架级系统规模，混合配置HBM4 8层与HBM4E 8层。虽然2026年HBM4 12层仍是主要供应规格，但从2027年中期开始，8层产品的占比预计将明显扩大。

据路透社引知情人士消息称，三星电子和SK海力士正在升级其中国工厂的NAND闪存产线，目标是将堆叠层数提升至200层以上，使中国工厂的技术水平尽量接近韩国本土工厂。

这一升级主要有两层背景：一是长江存储NAND市场份额快速提升，韩系厂商面临压力；二是AI服务器、数据中心和企业级SSD对高容量NAND闪存需求持续增长。

据CFM闪存市场数据显示，2026年二季度三星占全球NAND Flash市场份额的27.5%，排名第一；SK海力士市场份额18.5%，排名第二；长江存储市场份额15.0%，排名第三。

长鑫科技披露前三季度业绩预告显示，2026年前三季度，预计公司营业收入约为人民币2,650亿元至2,700亿元，与上年同期相比，将增加2,329.16亿元至2,379.16亿元，同比增长726%-741.5%；预计归属于上市公司股东的净利润约为人民币1,310.00亿元至1,325.00亿元，与上年同期相比，将增加1,362.80亿元到1,377.80亿元，同比扭亏为盈。由此推算，第三季度公司实现营业收入1146.9亿元至1196.9亿元，同比增长589%-619%，环比增长15.3%-20.3%；实现归属于上市公司股东的净利润533.95亿元至548.95亿元，同比扭亏为盈，环比增长1.0%-3.9%。

长鑫存储4F² DRAM架构研发近期取得关键进展。据长鑫总裁曹堪宇博士透露，长鑫4F²架构最核心的特色是在DRAM存储阵列晶体管上的创新，即自研的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管。VSG晶体管采用了垂直包围沟道结构，能实现更强栅控，解决漏电与短沟道效应痛点，同时竖立的晶体管也助力面积微缩，提升存储密度。预计长鑫年底将推出融合了上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

10月8日，三星电子公布2026年第三季度盈利预期。2026年第三季度，三星电子初步合并营收为195万亿韩元，营业利润为107.4万亿韩元，营业利润率为55.1%。与去年同期相比，营收同比增长126.6%，营业利润增长782.5%。与上一季度相比，营收和营业利润分别增长13.7%和20.0%。

CFM闪存市场近日发布2026年第四季度存储市场展望报告。报告指出，预计2026四季度，服务器DDR5、eSSD价格环比涨幅将分别落在0%~10%、0%~10%区间；Mobile LPDDR4X/5X、eMMC/UFS价格涨幅分别约0%~5%、0%~3%；PC DDR5/LPDDR5X涨幅预计约0%~10%，cSSD涨幅约0%~3%。

美光科技宣布，已成功在多个服务器平台上展示全球首款512GB DDR5内存模块，最高速率可达9200 MT/s。据悉，AMD和英特尔均在积极对该内存模块进行验证。美光预计，512GB RDIMM将于2027年下半年开始量产，以满足客户需求。

2026年二季度，由于全球NAND Flash市场在AI需求的拉动下仍然存在供给缺口，原厂继续保有强劲的议价权，带动产品平均售价（ASP）大幅增长，且价格涨幅显著跑赢出货量增长。量价共振下，二季度原厂NAND Flash销售收入环比均延续增长态势。据CFM闪存市场分析，2026年二季度全球NAND Flash市场规模持续增长，较一季度环比增长73.1%至767.76亿美元。

具体来看，三星二季度NAND ASP市场份额27.5%，排名稳居第一；SK海力士市场份额18.5%，排名第二；长江存储市场份额15.0%，排名第三；铠侠市场份额14.4%，排名第四；美光（2026年3-5月）市场份额13.0%，排名跃居第五；闪迪市场份额11.7%，排名第六。

9月3日，上海证券交易所官网显示，长江存储控股股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的IPO审核状态变更为“已问询”。

长鑫科技发布 2026 年半年度报告。2026 年上半年，公司实现营业收入 1503.1 亿元，同比增长 873.64%；归属于上市公司股东的净利润 776.05 亿元，上年同期亏损 23.32 亿元，实现扭亏为盈；扣非净利润 787.93 亿元，上年同期亏损 23.87 亿元，同样扭亏。截至报告期末，公司主营业务毛利率达 84.84%。

分季度来看，长鑫科技第二季度营收约 995 亿元，环比增长约 95.8%；归母净利润 528.43 亿元，环比增长113%；扣非净利润 524.5 亿元，环比增长99.13%。

闪迪发布了专为现代网络附加存储 (NAS) 环境打造的NAS 高耐久性SSD产品组合，包括SANDISK NAS 600 SATA SSD和SANDISK NAS 800 NVMe SSD。该产品专为多用户或要求苛刻的创意专业工作负载而设计，旨在提供严苛的NAS工作负载所需的可靠、稳定的性能、高耐久性和可扩展性。其中，SANDISK NAS 600 SATA SSD专为创意专业人士和小型企业优化，提供500GB至4TB的容量选择；SANDISK NAS 800 NVMe SSD专为部署全闪存和混合型NAS以运行高要求或业务关键型工作负载而设计，采用TLC 3D NAND，选择容量范围从960GB到7.68TB。

据媒体报道，闪迪在投资者日公布长期财务模型，预计在2028财年至2030财年期间，公司营收将保持15%-19%增长，增速与比特出货量增长相匹配。同时，非GAAP口径下，毛利率预计维持在约80%，营业利润率约为75%。此外，闪迪表示公司将根据盈利优化需要调整可供销售的bit量，并承诺在完成业务投资后，将把100%的剩余现金返还股东。