CFM预计，受终端需求疲软削弱下游承接意愿，叠加QLC SSD加速导入等因素影响，四季度消费级NAND Flash及SSD合约价上涨动能已基本枯竭。短期上游高成本与下游弱需求的结构性矛盾难以快速消解，现货端嵌入式存储价格仍存下行压力。在此背景下，部分原厂计划通过灵活调整NAND Flash产能投放，以期实现行业供需的动态均衡。

今日Flash Wafer价格持平、部分DDR颗粒价格调涨，其中，DDR4 8Gb 3200、DDR5 16Gb Major/24Gb Major分别调涨至$22.00、$40.00、$48.00，原厂高等级DDR颗粒仅对个别战略合作的存储厂商少量供应，且资源紧缺下目前仍为纯卖方市场，另外，由于颗粒单价过高已然不适用于PC等消费类产品，多用于生产服务器RDIMM，以及用作企业级eSSD的缓存方案。

DDR：DDR4 8Gb 3200 涨 12.82% 至 $22.00，DDR5 24Gb Major 涨 14.29% 至 $48.00，DDR5 16Gb Major 涨 14.29% 至 $40.00。

SK海力士4日联手闪迪，共同发布下一代存储技术高带宽闪存（HBF，High Bandwidth Flash）的首个标准规范。此次发布的标准规范，是继SK海力士去年8月与闪迪启动HBF标准化合作，并于今年2月成立联盟后，历时约6个月推出的首项成果。该规范定义了两种容量配置，分别采用8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量；并按三个等级（Grade 1~3）设定带宽标准，数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s。

铠侠已开始交付采用其第九代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的1Tb TLC样品，该产品采用基于第八代 BiCS FLASH™ 技术和先进 CMOS 工艺的 230 层堆叠工艺开发，其 NAND 接口速度高达4.8Gb/s，比第八代提升了33%，性能与第十代产品相当。

2026年第二季度（4-6月），三星电子整体业绩表现强劲，营收及营业利润均刷新历史单季最高纪录：营业收入达171.5万亿韩元（约合1189亿美元），同比增长130%，环比增长28%；营业利润：高达89.5万亿韩元（约合620.5亿美元），同比暴增18倍，环比增长56.5%；净利润：达到71.6万亿韩元（约合496.4亿美元），同比增长13倍，环比增长51.7%。

本季度业绩的爆发式增长几乎完全归功于半导体业务。设备解决方案（DS）部门成为公司绝对的利润引擎：

DS部门整体表现：Q2合并营收达127.5万亿韩元（约合884亿美元，环比增56%，同比增357%），营业利润达89.2万亿韩元（约合618亿美元，环比增66.1%，同比激增222.5倍）。该部门贡献了全公司99.7%的营业利润。

存储业务创纪录：在产能受限的背景下，存储业务Q2营收达120.8万亿韩元（约合837.5亿美元，环比增62%，同比增471%），超过2025年该部门全年营收（104万亿韩元）。

SK海力士预计DRAM bit出货量环比增长约10%（以服务器AI存储产品为核心）；NAND bit出货量（含Solidigm）预计环比低个位数增长（1%-3%），主推321层产品与企业级SSD。预计2026年全球DRAM bit需求增速将从2025年的17%-19%提升至约25%；全球NAND bit需求增速将从15%提升至17%-19%。随着供应限制的缓解，潜在需求将进一步释放。

7月14日，长鑫科技公布首次公开发行股票并在科创板上市发行公告。根据公告内容，本次发行价格定为8.66元/股，对应的发行人2025年扣除非经常性损益前后孰低的未行使超额配售选择权的摊薄后市盈率为308.92倍，假设全额行使超额配售选择权后本次发行后市盈率为313.56倍，高于中证指数有限公司发布的发行人所处行业最近一个月平均静态市盈率76.32倍。网下申购时间：7月16日9:30-15:00；网上申购时间：7月16日9:30-11:30、13:00-15:00。

江波龙公告，预计上半年归属于上市公司股东的净利润92亿元～110亿元，比上年同期增长62,204.03%～74,393.95%，扣除非经常性损益后的净利润90亿元～105亿元，比上年同期增长27,844.32%～32,501.71%，营业收入220亿元～250亿元。

CFM闪存市场近日发布2026年第三季度存储市场展望报告。报告指出，预计2026年三季度，服务器DDR5、eSSD价格环比涨幅将分别落在10%~20%、25%~30%区间；Mobile LPDDR4X/5X、eMMC/UFS价格涨幅分别约5%~15%、15%-25%；PC DDR5/LPDDR5X涨幅预计约13%-18%，cSSD涨幅约15%~25%。

CFM闪存市场2026年价格环比幅度预测：

来源：CFM闪存市场。注：最终实际情况可能存在调整，因各供应商拟定基准价不同，最终幅度会有差异。

SK海力士制定总额达1100万亿韩元（约合7130亿美元）的中长期投资战略，以应对全球AI存储器的快速增长需求。该战略将分阶段在龙仁投资600万亿韩元、清州投资100万亿韩元、西南地区投资400万亿韩元。

原计划于2045年竣工的龙仁半导体产业集群，其第四座晶圆厂的完工时间将提前12年至2033年；

SK海力士将在清州投资100万亿韩元（约合648亿美元），扩大NAND闪存产能。这是自2018年M15工厂建成以来，SK海力士在该厂区首次进行重大NAND产能扩张。该投资将用于建设新的NAND闪存晶圆厂、安装生产设备以及扩大用于HBM后端加工的先进封装能力。SK海力士计划将清州进一步发展成为涵盖NAND、HBM和先进封装的综合制造中心；

SK海力士计划投资400万亿韩元（约合2593亿美元）在西南地区打造新的半导体产业集群。该投资将分阶段进行，涵盖土地购置、晶圆厂建设和生产设备安装。

据台媒报道，群联电子执行长潘健成近日表示，当前NAND Flash市场供给持续紧张，缺货情况深不见底。他预计，今年下半年的供需紧张程度将远超上半年，而明年的情况恐怕还会更加严峻。潘健成强调，Flash缺货将是一个长期且不可逆的趋势，目前公司的订单已经排到了2027年第一、第二季度。

三星电子近日召开了为期三天的全球战略会议。据韩媒引述业内人士消息，其DS部门会议重点围绕高带宽内存（HBM）的销售扩张以及长期供应协议（LTA）战略进行了深入探讨。

据韩媒报道，SK海力士将于今年年底前量产下一代375层3D NAND闪存。目前，SK海力士已完成375层NAND闪存的生产验证工作，正着手准备将生产线转移至量产阶段。此次并未新建工厂，而是对清州M15工厂现有的产线（目前主要生产176层、238层和321层产品）进行改造升级，目前正在投入资金将其改造为375层产品生产线。

三星电子宣布，已开始向全球主要客户交付业界首批 12 层 HBM4E 样品，进一步巩固了其在下一代 HBM 市场的领先地位。三星 HBM4E 可提供稳定的 14 Gbps 引脚传输速度，性能可扩展至 16 Gbps，以满足日益增长的数据处理需求。三星12 层 HBM4E 提供 48 GB 容量，比上一代产品增加了 30% 以上，并计划根据客户需求扩展产品线，包括 32 GB（8 层）和 64 GB（16 层）配置。

据CFM闪存市场数据显示，1Q26全球NAND Flash市场规模428.15亿美元，企业级SSD需求倍增并仍在加速，尽管消费类需求现疲软迹象，但不改整体供不应求的局面，1Q26 NAND ASP环比大增，推动一季度全球NAND Flash市场规模环比续增81.8%。具体来看，三星市场份额29.7%，排名第一；SK海力士市场份额17.6%，排名第二；铠侠市场份额14.9%，排名第三；闪迪市场份额13.9%，排名第四；美光市场份额11.7%，排名第五。

据CFM闪存市场数据显示，1Q26全球DRAM市场规模943.25亿美元，环比增长81.5%。数据中心需求激增已导致DRAM供应紧张，HBM占据大部分产能进一步挤占其他DRAM供给，推动Q1 DDR/LPDDR产品ASP大幅上涨，目前通用型DDR利润率已超过HBM。具体来看，三星市场份额为40.5%，SK海力士市占29.6%，美光市占19.9%，长鑫存储市占7.7%，南亚科技市占1.6%，华邦电子市占0.6%。

据外媒引述消息人士透露，高通已与字节跳动就AI ASIC达成了一份合作协议，字节跳动将向高通采购数百万颗定制芯片，为其 AI 服务提供算力支持。另有消息称，这笔交易将帮助字节跳动将已完成的内部芯片设计转变为生产就绪的半导体。

据外媒报道，美光科技全球运营负责人Manish Bhatia近日于投资者会议上表示，美光HBM4产能爬坡速度，比其去年量产HBM3 12层产品时快了两倍，目前产品良率的提升速度也在不断加快。此外，美光HBM4E的开发进展顺利，预计2027年将开始量产。

美光科技日前宣布，已在其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂正式启动 1α（1-alpha）DRAM 的生产，这是美国迄今为止最先进的内存技术，将用于生产DDR4及LPDDR4产品，预计将于今年年底实现全面量产，将使该基地DDR4 晶圆供应量提升四倍。主要服务于汽车、国防、航空航天、工业、网络设备及医疗设备等拥有长生命周期需求的客户群体，该客户群体中并未包含数据中心领域。

三星劳资双方已就工资及集体谈判协议达成临时协议，三星工会方面确认，原计划于5月21日至6月7日举行的罢工已被暂停。三星工会将于5月22日14 时至5月27日10 时组织成员投票表决协议。若投票通过，今年工资协议将正式生效，罢工风险彻底解除；若被否决，罢工计划或将重启。

根据新的协议内容，三星将保留现有利润分享奖金机制，同时新增一项针对芯片业务部门的特别绩效奖金制度，依据盈利情况向半导体部门员工发放奖励，资金来源为“约定经营业绩（营业利润）”表现的10.5%。奖金池将在不同层级间进行分配，其中40%分配至事业部门，60%分配至具体业务单元。该部门涵盖存储芯片和逻辑芯片业务。该特别绩效奖金有效期 10 年，要求 2026-2028 年 DS 部门年营业利润达200万亿韩元（约合1333.51亿美元），2029-2035 年达100万亿韩元（约合666.67亿美元）。

三星电子今天（5月20日）的劳资谈判再度宣告破裂，明天起将举行大罢工。

随着市场需求变化，为了更好地反映存储行情，CFM闪存市场将于2026年5月19日新增DDR5 UDIMM、SODIMM及LPDDR5X产品报价。

新增产品如下：DDR5 UDIMM 8GB 5600、DDR5 UDIMM 8GB 6000；DDR5 SODIMM 8GB 5600、DDR5 SODIMM 16GB 5600；LPDDR5X 32Gb、LPDDR5X 48Gb、LPDDR5X 64Gb、LPDDR5X 96Gb、LPDDR5X 128Gb（上述LPDDR5X指标为245ball、315ball两种封装形式；其中，32Gb/64Gb/96Gb包含LPDDR5X 245ball、315ball；48Gb为LPDDR5X 245ball，128Gb为LPDDR5X 315ball）

新增产品均为每周二上午11:00更新报价，单位：美金。此外，将删除DDR4 SODIMM 4GB 3200和LPDDR4X 96Gb产品报价。

铠侠财报显示，2025年第四财季（2026年1-3月）其NAND Flash平均售价（以美元计）环比增长超一倍，Bit增长率环比下降约10%。

腾讯控股公布，2026年第一季度营收1964.6亿元，去年同期为1800.22亿元，同比增长9%；营业利润673.8亿元，同比增长17%；调整后净利润679.1亿元；每股收益7.517元，同比增长12%。该季度腾讯资本开支319.36亿元。资本开支主要包括对IT基础设施（包括电脑设备、零配件及软件）、数据中心、土地使用权、办公园区及知识产权（不包括媒体内容）的投入。