闪迪发布了专为现代网络附加存储 (NAS) 环境打造的NAS 高耐久性SSD产品组合，包括SANDISK NAS 600 SATA SSD和SANDISK NAS 800 NVMe SSD。该产品专为多用户或要求苛刻的创意专业工作负载而设计，旨在提供严苛的NAS工作负载所需的可靠、稳定的性能、高耐久性和可扩展性。其中，SANDISK NAS 600 SATA SSD专为创意专业人士和小型企业优化，提供500GB至4TB的容量选择；SANDISK NAS 800 NVMe SSD专为部署全闪存和混合型NAS以运行高要求或业务关键型工作负载而设计，采用TLC 3D NAND，选择容量范围从960GB到7.68TB。

据媒体报道，闪迪在投资者日公布长期财务模型，预计在2028财年至2030财年期间，公司营收将保持15%-19%增长，增速与比特出货量增长相匹配。同时，非GAAP口径下，毛利率预计维持在约80%，营业利润率约为75%。此外，闪迪表示公司将根据盈利优化需要调整可供销售的bit量，并承诺在完成业务投资后，将把100%的剩余现金返还股东。

随着三季度原厂价格进一步上行，本月服务器DDR5价格上涨15%至23%，32GB/64GB/96GB DDR5 RDIMM分别上涨至900/1590/2650美金。现货服务器RDIMM市场上，贸易端32GB D5介于1800~2100美金，64GB D5介于3000~3200美金，96GB D5介于3800~4100美金，合约与现货DDR5尤其是96GB的价差呈现收窄趋势。原厂DDR5供应依然维持供不应求，不过随着合约价逐季上涨，服务器大客户对内存成本的上涨更为敏感，加之长协相继落地，大客户D5供应得到一定保障，DDR5涨幅预计将更加温和。具体来看，

内存条(服务器)：DDR5 RDIMM 32GB 涨 23.29% 至 $900.00，DDR5 RDIMM 64GB 涨 15.22% 至 $1590.00，DDR5 RDIMM 96GB 涨 14.72% 至 $2650.00。

8月10日晚，江波龙发布2026年半年度报告。2026年第二季度，公司实现营业收入141.80亿元，环比增长43.1%，同比增长138.7%；归属于上市公司股东的净利润67.15亿元，环比增长73.9%，同比增长3930.9%；归母扣非净利润61.05亿元，环比增长54.8%，同比增长2506.1%。2026年上半年，公司实现营业收入240.88亿元，同比增长136.26%；归母净利润105.77亿元，同比增长71528.66%；归母扣非净利润100.47亿元，同比增长31,096.33%。

CFM预计，受终端需求疲软削弱下游承接意愿，叠加QLC SSD加速导入等因素影响，四季度消费级NAND Flash及SSD合约价上涨动能已基本枯竭。短期上游高成本与下游弱需求的结构性矛盾难以快速消解，现货端嵌入式存储价格仍存下行压力。在此背景下，部分原厂计划通过灵活调整NAND Flash产能投放，以期实现行业供需的动态均衡。

今日Flash Wafer价格持平、部分DDR颗粒价格调涨，其中，DDR4 8Gb 3200、DDR5 16Gb Major/24Gb Major分别调涨至$22.00、$40.00、$48.00，原厂高等级DDR颗粒仅对个别战略合作的存储厂商少量供应，且资源紧缺下目前仍为纯卖方市场，另外，由于颗粒单价过高已然不适用于PC等消费类产品，多用于生产服务器RDIMM，以及用作企业级eSSD的缓存方案。

DDR：DDR4 8Gb 3200 涨 12.82% 至 $22.00，DDR5 24Gb Major 涨 14.29% 至 $48.00，DDR5 16Gb Major 涨 14.29% 至 $40.00。

SK海力士4日联手闪迪，共同发布下一代存储技术高带宽闪存（HBF，High Bandwidth Flash）的首个标准规范。此次发布的标准规范，是继SK海力士去年8月与闪迪启动HBF标准化合作，并于今年2月成立联盟后，历时约6个月推出的首项成果。该规范定义了两种容量配置，分别采用8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量；并按三个等级（Grade 1~3）设定带宽标准，数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s。

铠侠已开始交付采用其第九代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的1Tb TLC样品，该产品采用基于第八代 BiCS FLASH™ 技术和先进 CMOS 工艺的 230 层堆叠工艺开发，其 NAND 接口速度高达4.8Gb/s，比第八代提升了33%，性能与第十代产品相当。

2026年第二季度（4-6月），三星电子整体业绩表现强劲，营收及营业利润均刷新历史单季最高纪录：营业收入达171.5万亿韩元（约合1189亿美元），同比增长130%，环比增长28%；营业利润：高达89.5万亿韩元（约合620.5亿美元），同比暴增18倍，环比增长56.5%；净利润：达到71.6万亿韩元（约合496.4亿美元），同比增长13倍，环比增长51.7%。

本季度业绩的爆发式增长几乎完全归功于半导体业务。设备解决方案（DS）部门成为公司绝对的利润引擎：

DS部门整体表现：Q2合并营收达127.5万亿韩元（约合884亿美元，环比增56%，同比增357%），营业利润达89.2万亿韩元（约合618亿美元，环比增66.1%，同比激增222.5倍）。该部门贡献了全公司99.7%的营业利润。

存储业务创纪录：在产能受限的背景下，存储业务Q2营收达120.8万亿韩元（约合837.5亿美元，环比增62%，同比增471%），超过2025年该部门全年营收（104万亿韩元）。

SK海力士预计DRAM bit出货量环比增长约10%（以服务器AI存储产品为核心）；NAND bit出货量（含Solidigm）预计环比低个位数增长（1%-3%），主推321层产品与企业级SSD。预计2026年全球DRAM bit需求增速将从2025年的17%-19%提升至约25%；全球NAND bit需求增速将从15%提升至17%-19%。随着供应限制的缓解，潜在需求将进一步释放。

7月14日，长鑫科技公布首次公开发行股票并在科创板上市发行公告。根据公告内容，本次发行价格定为8.66元/股，对应的发行人2025年扣除非经常性损益前后孰低的未行使超额配售选择权的摊薄后市盈率为308.92倍，假设全额行使超额配售选择权后本次发行后市盈率为313.56倍，高于中证指数有限公司发布的发行人所处行业最近一个月平均静态市盈率76.32倍。网下申购时间：7月16日9:30-15:00；网上申购时间：7月16日9:30-11:30、13:00-15:00。

江波龙公告，预计上半年归属于上市公司股东的净利润92亿元～110亿元，比上年同期增长62,204.03%～74,393.95%，扣除非经常性损益后的净利润90亿元～105亿元，比上年同期增长27,844.32%～32,501.71%，营业收入220亿元～250亿元。

CFM闪存市场近日发布2026年第三季度存储市场展望报告。报告指出，预计2026年三季度，服务器DDR5、eSSD价格环比涨幅将分别落在10%~20%、25%~30%区间；Mobile LPDDR4X/5X、eMMC/UFS价格涨幅分别约5%~15%、15%-25%；PC DDR5/LPDDR5X涨幅预计约13%-18%，cSSD涨幅约15%~25%。

CFM闪存市场2026年价格环比幅度预测：

来源：CFM闪存市场。注：最终实际情况可能存在调整，因各供应商拟定基准价不同，最终幅度会有差异。

SK海力士制定总额达1100万亿韩元（约合7130亿美元）的中长期投资战略，以应对全球AI存储器的快速增长需求。该战略将分阶段在龙仁投资600万亿韩元、清州投资100万亿韩元、西南地区投资400万亿韩元。

原计划于2045年竣工的龙仁半导体产业集群，其第四座晶圆厂的完工时间将提前12年至2033年；

SK海力士将在清州投资100万亿韩元（约合648亿美元），扩大NAND闪存产能。这是自2018年M15工厂建成以来，SK海力士在该厂区首次进行重大NAND产能扩张。该投资将用于建设新的NAND闪存晶圆厂、安装生产设备以及扩大用于HBM后端加工的先进封装能力。SK海力士计划将清州进一步发展成为涵盖NAND、HBM和先进封装的综合制造中心；

SK海力士计划投资400万亿韩元（约合2593亿美元）在西南地区打造新的半导体产业集群。该投资将分阶段进行，涵盖土地购置、晶圆厂建设和生产设备安装。

据台媒报道，群联电子执行长潘健成近日表示，当前NAND Flash市场供给持续紧张，缺货情况深不见底。他预计，今年下半年的供需紧张程度将远超上半年，而明年的情况恐怕还会更加严峻。潘健成强调，Flash缺货将是一个长期且不可逆的趋势，目前公司的订单已经排到了2027年第一、第二季度。

三星电子近日召开了为期三天的全球战略会议。据韩媒引述业内人士消息，其DS部门会议重点围绕高带宽内存（HBM）的销售扩张以及长期供应协议（LTA）战略进行了深入探讨。

据韩媒报道，SK海力士将于今年年底前量产下一代375层3D NAND闪存。目前，SK海力士已完成375层NAND闪存的生产验证工作，正着手准备将生产线转移至量产阶段。此次并未新建工厂，而是对清州M15工厂现有的产线（目前主要生产176层、238层和321层产品）进行改造升级，目前正在投入资金将其改造为375层产品生产线。

三星电子宣布，已开始向全球主要客户交付业界首批 12 层 HBM4E 样品，进一步巩固了其在下一代 HBM 市场的领先地位。三星 HBM4E 可提供稳定的 14 Gbps 引脚传输速度，性能可扩展至 16 Gbps，以满足日益增长的数据处理需求。三星12 层 HBM4E 提供 48 GB 容量，比上一代产品增加了 30% 以上，并计划根据客户需求扩展产品线，包括 32 GB（8 层）和 64 GB（16 层）配置。