三星(Sam sung;005930-KR) 在11月30日晚间宣布,30奈米3-bit MLC NAND Flash 开始量产,显示三星关注焦点不再是 DRAM,且称霸记忆体企图心十足。
DRAM大厂力晶(5346)11月单月转盈之际,DRAM现货报价却出现大转折。昨1日晚间报价,主流规格1Gb DDR2有效测试颗粒(eTT)跌破2美元大关,创今年10月初以来新低。
DRAM价跌之势持续,DDR2 1Gb eTT(有效测试颗粒)并在昨 (121) 日跌破 2美元大关,不过今 (2)日力晶(5346-TW) 开盘跳空涨停,为11月成功转亏为盈庆贺,激励DRAM股齐聚红光。
三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)于美东时间11月30日晚间9时发布新闻稿宣布,该公司已领先业界量产采30奈米制程技术、支援非同步(asynchronous) DDR (double data rate)介面的32Gb
DRAM厂力晶(5346)昨率同业之先,公布11月营收,自结营收达53.8亿元,月增27%,单月并正式转亏为盈,不仅营收创今年新高,也是近三年台湾DRAM厂首家出现单月获利的业者。
内存模块厂11月营收受到DRAM和NAND Flash芯片价格走软影响不大,营收普遍可高于10月,包括创见营收回升至新台币30亿元以上,威刚营收往45亿元以上移动,劲永则是维持在24亿元左右水平,以2009年全年来看,威刚表现是黑马窜出位,创见是稳守获利,
受惠产出大幅增加,DRAM报价也从谷底回升,力晶和华亚科11月营收分别跨过新台币50亿元和40亿元大关,营运正式转亏为盈,而南亚科11月受惠合约价仍是维持高档,单月营收挑战60亿元大关。
市场传出韩厂开始低价卖货,同时年关将近,各厂商开始忙清库存,DRAM价格到年底前将难有起色,DRAM族群近期表现也相对低迷,今(121)日仅力晶(5346-TW)强势逆红。
根据iSuppli发布的报告,该公司认为DDR3 DRAM将在2010年度下半年开始主宰DRAM市场;届时,超过半数的出货都将是DDR3产品。
台系DRAM厂近期在产能大幅扩充,使得供给大幅增加,也促使1Gb容量DDR 2 eTT芯片低价跌破2美元关卡,在这次的DRAM价格回档中,eTT芯片跌幅较品牌芯片深很多,品牌芯片的价格则维持在2.4~2.5美元之间,然12月合约价恐有往下的压力。
由于iPhone及苹果其他消费性电子产品广受全球欢迎,令苹果越来越具有影响力,导致闪存大厂如三星电子(Samsung Electronics)和海力士半导体(Hynix Semiconductor)也拿苹果没有办法。
即使在2008年景气跌落谷底时,南韩亦不断积极投资研发,让南韩内存芯片业者得以在景气复苏时迅速获取市占率以及较高的利润,也让三星电子(Samsung Electronics)与海力士(Hynix Semiconductors)分别拿下全球内存芯片制造商冠亚
不论韩系大厂是否启动相关计划,近期随着年关将近,各厂商都在忙着清库存,DRAM价格在年底前恐难有起色。
对于DRAM产业的现况,美林证券指出,目前处于「产能利用率接近满载,但存货低于平均水位的状态」,看好在农历春节前库存回补需求、产能利用率再成长空间有限,以及微软Windows 7带动4Gb晶片需求下,DRAM现货和合约价格在明年元月可望有一波涨势。
威刚2009年营运咸鱼翻身,受惠DRAM和NAND Flash价格2009年上扬数倍,模块厂受惠手上库存而率先得利,威刚2009年营运不但转亏为盈,前3季营运交出税后获利新台币14.3亿元、每股税后6.84元好成绩,营收也逐月创下历史新高水平。