DDR2 1Gb eTT跌破2美元 力晶转盈撑腰 开盘跳空涨停

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-12-02 10:45
DRAM价跌之势持续,DDR2 1Gb eTT(有效测试颗粒)并在昨 (121) 日跌破 2美元大关,不过今 (2)日力晶(5346-TW) 开盘跳空涨停,为11月成功转亏为盈庆贺,激励DRAM股齐聚红光。
DDR2 1Gb eTT单日下跌2.66%,一举跌破 2美元关卡,来到1.98美元,DDR2 1Gb品牌颗粒价也下跌至2.4 美元,下世代主流的DDR3 1Gb 跌势较缓,下跌到2.7 美元。现货市场无需求支撑,供应端持续降价求售,但买方开价更低,交易依旧清淡。
尽管11月DRAM现货价下跌 22.2%,力晶挟出货量大增威力,单月营收较10月大增 27%,同时宣告单月正式转亏为盈。力晶投片量达满载,出货量可望持续成长,而力晶逐渐恢复财务自主能力后,昨日董事会决议,通过2009年资本支出更新案,并向尔必达(Elpida;6665-JP)买回部分瑞晶股权案。
力晶计画买回部分瑞晶股权,受到市场关注。瑞晶为力晶和尔必达合资成立,双方原持股各 50%,但受到金融风暴冲击,力晶不堪巨额亏损,只能陆续将瑞晶持股让给尔必达,以交换金援。
力晶对瑞晶持股节节败退,在 8月 28 日后已降至30.84%,尔必达更规划在今年底,增加瑞晶持股至 71%,届时力晶对瑞晶持股将降至不到 3成,尽管董事席次仍然各半,但实质经营权是否变动,一度受到市场揣测,如今力晶积极为瑞晶赎身,台日在瑞晶经营权之争,备受瞩目。

 

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