记忆体产业经历 1年冰河期,今年第 3季终于春暖花开,台湾DRAM厂力晶(5346-TW) 并于11月成功转亏为盈,吸引市场瞩目,然而,更值得注意的是,三星(Sam sung;005930-KR) 在11月30日晚间宣布,30奈米3-bit MLC NAND Flash 开始量产,显示三星关注焦点不再是DRAM,且称霸记忆体企图心十足。
DRAM产业原已因供过于求而亏损,去年金融风暴更是雪上加霜,DRAM 价格暴跌,DDR2 1Gb eTT 最低来到 0.59美元,连三星也无可避免陷入亏损,海力士(Hynix ;000660-KR) 、尔必达 (Elpida;6665-JP) 、美光 (Micron;MU-US) 极力苦撑,台厂更陷入严重现金流出,做一颗赔一颗的窘况,只能大幅减产以止血。
德厂奇梦达(Qimonda) 终在今(2009)年初申请破产保护,成为整个产业秩序重整的第一步,但台湾政府稍后宣布“DRAM产业再造方案”,不仅受到和台厂紧密合作的日厂和美厂注目,三星、海力士也高度关注,尤其台湾记忆体公司 (TMC)的构想,可能结合台、美、日三方势力,更成为韩厂心头大患。
然而,TMC 的时机稍纵即逝,DRAM厂积极减产逐步发酵,DRAM价开始缓步回升,美光即结合南科(2408-TW )、华亚科(3474-TW),表明要走自己的路,尔必达虽和台湾创新记忆体(TIMC)、茂德(5387-TW )合作,但力晶不愿加入,TMC成效持续受到市场质疑。
三星从今年第 1季扭转亏损步入盈余,开始投注更多精力在技术研发,以拉开与竞争对手的差距,今年 7 月宣布 40 奈米DDR3进入量产,时值第 3季传统旺季, DRAM价格一路上扬,DDR3的需求更快速成长,合约价随后更低于DDR2,开启DRAM世代交换。
三星的策略随即奏效,今年第 3季获利创下历史新高纪录,在此同时,台湾DRAM产业再造进入最后摊牌阶段,但DRAM价格看似一往无回的涨势,已让再造方案筹码散尽,台湾“立法院”经济委员会也做出主决议,要求“经济部”停止DRAM产业再造方案,并全力围堵翻案,要求“国发基金”不得注资。
至此,三星在DRAM一战告捷,领先台厂 2个制程世代,并与海力士携手,让韩厂全球市占率一举过半,甚至越走越高。
然而,三星的野心显然不只是稳坐DRAM龙头,从今年 9月宣布开始量产512Mb 相位变化随机存取记忆体晶片(PRAM),意欲取代 NOR Flash后,11月30日正式宣布,开始量产30奈米3-bit MLC NAND Flash,称霸记忆体市场的企图心,不言而喻。