三星:30奈米制程DDR MLC NAND开始量产 领先业界

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-12-02 10:42
三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)于美东时间11月30日晚间9时发布新闻稿宣布,该公司已领先业界量产采30奈米制程技术、支援非同步(asynchronous) DDR (double data rate)介面的32Gb MLC NAND型快闪记忆体,已在11月底开始对主要OEM出货。
三星电子表示,DDR NAND将显著提升高运算、大容量行动装置的资料读取速度,每秒可读取133Mb的数据(133Mbps),预料将取代读取速度达40Mbps的SDR (single data rate) MLC NAND。三星表示,上述产品将可显著提升NAND型快闪记忆体对高容量消费性电子产品的贡献度,以满足逐渐升高的影片分享需求。
根据科技市调机构Gartner预测,2012年全球NAND型快闪记忆体销售额可望由2009年的138亿美元攀升至236亿美元。

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