韩国三星电子开发出了配备PRAM(相变内存)的MCP(Multi Chip Package)。将在2010年6月之前开始面向手机供货。
DRAM封测今年更是一个好年,全年业绩展望佳,短期看第 2 季客户需求力道仍强,不过由于第 1 季营收基期已高,因此预估第 2 季营收将微幅成长。
由于绘图用记忆体价格居高不下,包括NVIDIA公司,超微公司(AMD)及多家绘图卡业者继2,3月低调拉升绘图卡售价5%后,4月中再度调升全线绘图卡产品售价,涨幅约达一成,台湾等各地通路已开始反映涨价。
旺宏(2337-TW)董事长吴敏求今(28)日表示,快闪记忆体(NOR Flash)第2季持续供不应求,第3季也一样,虽然第4季还有待观察,缺货情况从今年起将持续12-18个月,意即到明年中以前都会看得到。
旺宏(2337)董事长吴敏求表示,在产能供给有限、需求持续成长下,预估这一波NOR Flash的缺货潮从今年初开始,至少会维持12-18个月之久,也因此激励价格攀升,预估NOR Flash价格将会上涨超过两位数。
苹果今年iPhone出货量可达4000万台,所需NAND Flash消耗量可占整体NAND Flash需求约9%,且苹果电脑相关产品销售带动NAND Flash需求,今年下半年NAND Flash市场呈现小幅吃紧。
华邦2010年正式转型为利基型内存全方位供货商,NOR Flash、利基型内存(SDRAM)、Mobile RAM相当火热,让总经理詹东义在法说会上充满信心表示「这次不会再被DRAM诱惑」。
DRAM厂减资又一桩,继南科(2408)、力晶(5346)后,茂德(5387)昨(26)日宣布减资472.35亿元,减资幅度65%,并将透过私募,引进新策略伙伴,市场预期日商尔必达(Elpida)最有可能,但茂德并未证实。
标准型DRAM价格上涨、产能不足的情况,也蔓延到利基型DRAM产品,第2季涨价效应发酵,NOR Flash的ASP(平均售价)预计也将呈现持平至上涨趋势。
华邦电(2344)总经理詹东义27日于第一季法说会上喊出,今年NOR Flash出货目标将挑战10亿颗,较去年4亿颗大幅增加1.5倍,接下来将加速转换制程,达到最大化dies产出。预估今年底,将会是两大产品线(利基型内存与NOR Flash)旗鼓相当的局面
DRAM现货市场需求见软,连带今(27)日DRAM股也走弱,昨(26)日宣布减资65%的茂德表现较为抗跌。
应用在绘图卡上的利基型DRAM价格近期仍然缺货,应用在低阶卡的DDR2、中高阶卡的GDDR3/5等,市场供给量也不足,所以绘图卡厂第2季例行性降价已全部取消,旧型号也没有因为新型号推出而降价求售。
三星电子宣布正式领先量产业界第一款20奈米级NAND晶片,可用在SD记忆卡与嵌入式记忆体解决方案,基于这先进的技术而发表的32Gb MLC NAND,更进一步扩展三星的记忆卡解决方案,可提供智慧型手机、高阶IT应用与高效能记忆卡更多开发选择。
三星26日宣布正式量产20奈米制程NAND Flash芯片,为32Gb容量MLC(Multi-Level Cell)规格产品,未来应用面包括SD闪存和嵌入式解决方案,主要针对智能型手机和高阶手机,预计将于2010年下半进入量产。
第1季的NAND Flash市场没有缺货问题,第2季价格上涨机率不高,短期会比较辛苦,但第3季市场一定会好,因为很多消费性电子产品的备货需求都将启动,预计第3季的NAND Flash价格会有一波涨势。