华邦电NOR Flash出货挑战10亿颗 年增1.5倍

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-04-28 07:54
华邦电(2344)总经理詹东义27日于第一季法说会上喊出,今年NOR Flash出货目标将挑战10亿颗,较去年4亿颗大幅增加1.5倍,接下来将加速转换制程,达到最大化dies产出。预估今年底,将会是两大产品线(利基型内存与NOR Flash)旗鼓相当的局面。
华邦电已上修资本支出至75亿元,预估年底华邦电可望正式退出标准型DRAM,摆脱严苛的景气波动,成为营收、获利稳定成长的DRAM厂,詹东义表示,华邦电已转型为全球利基型内存的主要供货商,把握正在复苏的需求环境,将持续以先进制程和多元互补的产品组合,全力满足市场,提升获利,追求长期稳健的成长,而现在更积极调整体质,并将毛利率过低的订单予以排除。
由于标准型产品易受产业循环景气冲击,华邦电计画性降低标准型产品比重,至今年第1季已经降至10%,詹东义说,很快会降到0,未来华邦电会成为营收、获利稳定成长的公司,今年底NOR Flash、Speciality DRAM会成为两大主产品线。
詹东义认为,今年不论是营收与获利,将会是呈现逐季稳健成长的走势,虽然目前标准型内存的毛利率相当不错,不过公司将会持续专注利基型内存领域,不再受到诱惑,也不会盲目扩张产能,而是在目前现有的产能(3.4万片/月),以最大化的方式增加每片晶圆的dies产出。
华邦电总经理詹东义表示,今年NOR Flash需求,不仅因PC、硬碟、LCD TV的带动而升温,更因容量需求攀升导致供应吃紧,例如PC容量需求从8M跳升至64M,主流容量需求则横跨32至64M,且搭载数量增至2至3颗,加上开出产能有限,因此供应吃紧,第2季涨价效益会扩大,至于纾解可能要看第4季至明年有没有机会。
詹东义指出,因应客户需求,NOR Flash的产能将会持续增加,已从原本4000片提升至7000片/月,下半年再增加至1万片的规模/月。目前NOR Flash以90奈米制程为主,明年上半年将会有58奈米的NOR Flash上市。至于DRAM产品部份,已经从90奈米转换至65奈米(每片晶圆dies产出增加一倍),预计今年底前将会全部转换,明年上半年则开始导入46奈米制程。
詹东义对于NOR Flash市况非常乐观看好。詹东义表示,今年内存涨价一波接着一波,先从标准型内存点火,之后轮到NOR Flash,紧接的是利基型内存喊涨。以市况来看,NOR Flash缺货相当严重,尤其今年没有新产能开出,在数量需求成长、密度提升等趋势下,导致NOR Flash严重供不应求,预计至少要到今年第四季或者明年第一季,供需吃紧情况才会纾缓。
以华邦电本身在NOR Flash的表现来看,詹东义说,从推出NOR Flash以来,到今年第一季底累积出货量正式达到10亿颗的里程碑,预计今年出货量将可以再创下下一个10亿颗,若与去年4亿颗相比,成长幅度高达1.5倍之多。
詹东义指出,NOR Flash应用领域越来越广,特别是硬盘、液晶电视、以及消费性电子等市场需求可期,詹东义表示,今年第2季会加码推出1.8V的Serial Flash以及3V的Paralle Flash,因应市场需求。今年资本支出从62亿元调升至75亿元,其中包含增加Flash产能至1万片,以及在Speciality DRAM上将制程从90纳米转进65纳米,下半年将全数转换完成,以及增加1台浸润式曝光机台。
詹东义强调,目前华邦电是唯一以12吋厂采用90奈米制程生产的NOR Flash厂,不论是技术或者是生产成本,都领先同业,预期今年于全球NOR Flash的市占率将可以再下一城。
至于Mobile RAM产品,詹东义表示,Mobile RAM的大客户订单已经可以看到年底了,其中公司所生产的Pseudo RAM更已成功拿下全球市场第一。
另外,接下来公司将加速提升65奈米利基型DRAM(64Mb-512Mb)产出以满足市场;而应用在绘图芯片的GDDR3和GDDR5 已经开始量产。

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