全球20奈米制程NAND Flash大战提前开打,在竞争对手美光(Micron)、英特尔(Intel)阵营于34与25奈米制程连续2世代技术都超前,加上东芝(Toshiba)2010年下半25奈米制程产品亦将加入战局情况下,龙头大厂三星电子(Samsung Electronics)终于展开全面大反击,26日宣布20奈米制程NAND Flash芯片正式亮相,主流产品规格拉升至32Gb,台系控制芯片业者早已为三星铺好路,待2010年下半三星20奈米制程芯片大量投入市场时,相关控制芯片将全数配合到位。
三星26日宣布正式量产20奈米制程NAND Flash芯片,为32Gb容量MLC(Multi-Level Cell)规格产品,未来应用面包括SD闪存和嵌入式解决方案,主要针对智能型手机和高阶手机,预计将于2010年下半进入量产。
三星指出,相较于目前30奈米制程世代,20奈米制程新技术产出可大幅增加50%,且在写入速度方面,以8GB容量以上SD卡为例,20奈米制程NAND Flash芯片比30奈米制程芯片速度快上30%,并可用在高等级Class 10记忆卡上,最高容量可达64GB水平。
事实上,三星急着宣布20奈米制程NAND Flash产品问世,一方面是美光与英特尔早已宣布25奈米制程将进入量产,让三星感到压力很大,加上东芝25奈米制程产品亦将于下半年加入战局,三星遂被迫提前宣布20奈米制程已准备好,并使得全球20奈米制程NAND Flash大战提前开打。
内存业者表示,2010年将有很多新产能开出,包括美光在新加坡12吋晶圆厂重新启动,以及东芝计划投资150亿日圆在四日市盖新厂,加上各家厂商20奈米制程产品都大量出货,NAND Flash产能增加幅度相当可观,恐促使NAND Flash价格出现不小的修正幅度。
值得注意的是,美光阵营在34与25奈米制程连续2世代技术都超前,目前亦正在研发Sub-25奈米技术,以及10奈米制程技术,2者可能同时并行,再看哪一项技术较具竞争力,届时此技术发展进度将再度领先市场。
不过,内存业者表示,NAND Flash技术在10奈米制程以下技术门坎相当高,不会再采用浮闸架构(floating-gate structure),多家内存厂已计划采用电荷撷取闪存(Charge Trap Flash;CTF)技术,未来将对技术演进形成更大的竞争门坎。
另外,虽然2010年NAND Flash新增产能不少,恐对价格造成很大压力,但对于SSD产品线迈入主流地位,多年来厂商就是在等这一刻,若NAND Flash价格能如预期大幅下修,2010年将是SSD大爆发年,可望消化多数NAND Flash产能,使得市场供需失衡问题不会太严重。