韩国三星电子开发出了配备PRAM(相变内存)的MCP(Multi Chip Package)。将在2010年6月之前开始面向手机供货。PRAM将“作为NOR闪存的后续产品在2011年之前广泛用于消费类产品,将成为主要的内存技术”(三星)。
三星配备在该MCP上的PRAM为512Mbit产品。据悉,该产品与4Xnm工艺NOR闪存以及硬件/和软件两方面具有兼容性。与该公司此前面向手机开发的单体PRAM也具有兼容性。
三星表示,PRAM与NOR闪存相比,每个单词(word)的数据写入速度高达后者的3倍。因此,此次的MCP兼具闪存的非易失性和DRAM的高速性。PRAM能够对应向3Xnm以及3Xnm以后的技术过渡,可以克服在采用NOR闪存来设计手机时遇到的技术难题。
该公司今后仍打算致力于PRAM及其他新内存的开发。力争开发出数据写入速度高、减少写入大容量数据时的待机时间的技术。
三星公司内存市场部执行副总裁Dong-soo Jun在此次的发布会上发表以下讲话:“目前,面向便携产品的内存技术迎来了重要的转折点。原因是根据应用的不同,对多用内存的需求越来越大。此次的 MCP配备了可取代4Xnm以后NOR闪存的PRAM,满足了这种需求。通过使用该产品,手机上配备LPDDR2规格DRAM以及新一代PRAM等尖端技术的时间也将提前”。