三星电子量产20奈米级NAND Flash记忆体

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-04-27 08:57
三星电子宣布正式领先量产业界第一款20奈米级NAND晶片,可用在SD记忆卡与嵌入式记忆体解决方案,基于这先进的技术而发表的32Gb MLC NAND,更进一步扩展三星的记忆卡解决方案,可提供智慧型手机、高阶IT应用与高效能记忆卡更多开发选择。
三星电子记忆体部门董事长Soo-In Cho表示,开始量产30奈米级NAND仅仅一年之后,三星已经能提供下一代的20奈米级NAND解决方案,远远超过了客户对高效能与高密度NAND解决方案的需求,此全新20奈米级NAND不只是制程上的一大跃进,更代表我们实现先进技术,并促成重要的效能创新。
相较于30奈米级MLC NAND,三星20奈米级MLC NAND的生产率高出50%,在写入速度上,20 奈米级8GB以上的SD卡比30奈米级NAND速度快30%,并实现了速度等级10 (读取速度每秒20MB,写入速度每秒10MB)。透过应用前端的制程、设计与控制器技术,三星也确保其可信赖性是与30奈米级NAND不相上下的。
2009年3月,三星电子首先开始量产30奈米级32Gb NAND,现在已可提供使用20奈米级32Gb NAND的SD卡样品给客户,并将在今年下半年扩大生产。基于20奈米级技术的记忆卡将能提供4GB到64GB的不同密度选择。
三星高效能优质NAND的发表,将更能支持与满足来自智慧型手机、高阶IT应用与高效能记忆卡对于记忆体的需求。

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