即将登场的亚太区半导体产业第二季财报孰将胜出?摩根大通证券亚太区半导体首席分析师J.J.Park,昨(19)日点名台湾晶圆代工与韩国存储器两大族群会有突出表现,以个股论,建议买进台积电(2330)、联电(2303)、联咏(3034),避开南科(2408)。
台湾DRAM厂经过金融风暴和DRAM价格崩盘的洗礼后,竞争力持续衰退,加上身怀巨额负债,当时除了华亚科之后,各家DRAM厂都被打入全额交割股行列,趁着2009年和2010年半导体产业景气回升,各厂纷纷启动减资计划。
台日高科技合作布局再添一桩!据了解,日商尔必达已决定来台设立研发中心,且选定投入高阶技术NAND Flash(快闪存储器)领域。
2010年第2季全球NAND Flash产值将较第1季下滑,是从2009年初连续5季大幅成长以来,NAND Flash市场产值规模首度出现缩水,原因就是TLC芯片的大量出笼,导致NAND Flash价格下滑和市场的供过于求。
过去1年2个月期间呈现上升趋势的DRAM价格,可能将再度下滑。预期第3季DRAM价格将小幅下滑后止跌,但第4季将会有大幅的下滑趋势。虽南韩企业的净利也将减少,但对台湾企业打击可能更大。
因欧洲金融不安造成DRAM需求增长速度减缓、台湾PC厂也纷纷要求调降DRAM售价,故今年7月前半PC用DRAM交易价格已较6月后半下滑了3-4%。
7月上旬合约价,呈现持平状态,然最高价与最低价双双呈现下跌走势,力晶董事长黄崇仁预测,第4季DRAM价格将会在2.5美元上下1成的空间内震荡。
近期部分模块厂及通路商已喊出40美元报价,甚至有业者杀出37~38美元破盘价,导致市场价格混乱。DRAM业者表示,由于制程微缩使得DDR3产能增加,2010年下半价格将持续看跌,DDR2则因为生产量愈趋减少,价格较有支撑。
市场不用再担心飞索短期内会增产打乱NOR Flash市场供需,伴随飞索在卖厂后缩小营运规模,最大受益者是台系NOR Flash大厂旺宏和华邦,未来两家大厂都有扩增12吋晶圆厂产能的计划,全球NOR Flash市占率可望持续攀升。
东芝和三星电子(Samsung Electronics)在全球NAND Flash市占率差距已不到5个百分点,三星2011年亦将启动大规模NAND Flash扩产计划,加上美光(Micron)与英特尔(Intel)可望在2010年底前启动新加坡新厂,为NA
针对2010年第1季统计,第1和第2名的三星和东芝市占率拉近至38.5%和33.8%,较2009年第4季39.9%和31%市占率大幅靠近,使得双方对于扩产的速度也是快马加鞭。
美系内存大厂美光(Micron)宣布推出第3代低延迟RLDRAM3(Reduced Latency DRAM),主要针对高效能网络基础设施等客户,可在在线传输大量的数据,除了提升储存容量和速度外,也将传输时的延迟状况降至最低,因此适合用在网通设备等领域。
全球高效能内存、闪存及计算机技术尖端领导者-美商博帝(Patriot Memory),推出全新款极速效能「毒蛇II七号特区系列」DDR3 三信道内存模块,是专为Intel X58平台效能优化所设计,同时也是为了满足所有超频者,计算机狂热族群以及游戏玩家所量
内存模块厂G.Skill,于日前抢先全球推出针对最高阶Intel X58平台所研发设计的DDR3 2000MHz CL8-9-8-24 1.65V 24GB(4GBx6) 三信道内存模块。
常忆科技日前宣布其有高度成本效益及可靠度的0.18um pFusion嵌入式快闪记忆解决方案的技术,已于其合作晶圆厂成功导入量 产。此0.18um pFusion技术为逻辑兼容制程,并几乎已达一般逻辑制程的良率水平。