模块厂DDR3杀出破盘价搅局

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-07-16 08:17
全球DRAM产业景气混沌不明,合约价一路下滑,7月上旬DDR3合约价下滑2~4%,DDR2跌幅较缓和,约下滑2%,目前台面上1条2GB模块官方报价仍维持在44美元,然值得注意的是,近期部分模块厂及通路商已喊出40美元报价,甚至有业者杀出37~38美元破盘价,导致市场价格混乱。DRAM业者表示,由于制程微缩使得DDR3产能增加,2010年下半价格将持续看跌,DDR2则因为生产量愈趋减少,价格较有支撑。
反应全球景气混沌局势,加上供给端产出逐渐增加,7月上旬DRAM合约价延续6月疲软,所幸跌幅不大,仅下滑约2~4%。
模块业者透露,尽管目前台面上2GB DDR3模块官方报价仍维持44美元水平,但部分模块厂和通路商已针对部分OEM大客户,喊出1条2GB DDR3模块40美元超低价,甚至部分零售商喊出37~38美元破盘价出货,显示目前DDR3市场价格相当混乱。
不过,相较于DDR3价格疲弱,DDR2合约价虽同步走滑,但幅度不大。DRAM业者表示,主要是因为原本生产DDR2的台系DRAM厂,纷将12吋厂产能转进DDR3,使得DDR2供给锐减,2010年下半DDR2产能只会越来越少,因此,业界对于DDR2走势相对乐观。
内存业者指出,2010年下半两大韩系大厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)都积极转进40奈米世代,美光(Micron)与南亚科、华亚科方面,50奈米制程将逐渐量产,有助于成本结构进一步降低,1Gb芯片成本降至约1美元,藉以抵御价格下降压力。
尔必达阵营方面,力晶7月起从65奈米转进63奈米制程,每片晶圆产出增加25%,瑞晶旗下8万片产能亦全数转到63奈米,较力晶快约1季,且开始导入45奈米制程试产,瑞晶希望2010年底前全数转进45奈米,力晶则因为浸润式曝光机(Immersion Scanner)延后交货,预计第4季才会导入45奈米。茂德目前大部分产能仍是在DDR2,63奈米制程已试产成功,2010年下半DDR3产能比重会逐渐增加。
对于第3季合约价看法,业者多认为会持续缓跌,主要是反应制程微缩、成本下降;在终端需求方面,由于多数企业会在年底前把预算消化完毕,加上很多旧机种已达4~5年未换机,2010年下半企业换机潮仍可期待。

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