美光RLDRAM3问世 瞄准网络设备客户族群

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-07-15 08:23
美系内存大厂美光(Micron)宣布推出第3代低延迟RLDRAM3(Reduced Latency DRAM),主要针对高效能网络基础设施等客户,可在在线传输大量的数据,除了提升储存容量和速度外,也将传输时的延迟状况降至最低,因此适合用在网通设备等领域。
美光表示,RLDRAM3是1种高带宽的记忆 体技术,因应现在计算机用户对于影响内容、行动应用和云端运算等应用蓬勃发展,因此也对高效网络基础设备的需求大幅提高,第 3代RLDRAM的优点是提高储存容量和传输速度,并降低功耗,以及将传输时的延迟状况降至最低,其中RLDRAM3的容量达 576Mb~1Gb,可根据不同的客户做设计,传输速度高达每秒2133Mb。
美光DRAM营销副总裁Robert Feurle表示,目前正在生产的RLDRAM 2也会持续长期生产,并将导入最先进的50奈米制程,以进 一步降低成本,并提升系统效能和降低功耗,而在RLDRAM 3进度方面,预计在2011年上半开始陆续与客户合作,征求客户对RLDRAM 3设计规格上的意见。
美光也强调,为了让RLDRAM内存储存解决方 案能够更容易和网络设备整合,近期也积极与合作伙伴沟通,量身定做适合客户的解决方案,目前合作的FPGA客户包括Altera和 Xilinx,都已将美光的! RLDRAM 3内存可整合到其产品系列中。
在 Altera的28奈米Stratix V FPGA方面,美光的RLDRAM 3内存可让Altera 的内存带宽高达1,600 Mbps,不但速度相当快,同时也大幅降低了延迟的状况。
在Xilinx应用方 面,目前Xili= 7系列FPGA应用于最高级的网络设备,适合对于带宽要求高的使用者,Xilinx表示采用美光RLDRAM 3技术后,可以让客户能开发网络平台,更可满足严格的基础设施需求。

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