常忆科技日前宣布其有高度成本效益及可靠度的0.18um pFusion嵌入式快闪记忆解决方案的技术,已于其合作晶圆厂成功导入量产。此0.18um pFusion技术为逻辑兼容制程,并几乎已达一般逻辑制程的良率水平。
藉由PMOS band-to-band-tunnel(BTBT)专利的制程结构,0.18um pFusion 在-40度C至 105度C可确保在经过10万次擦写后仍可保存资料长达20年。相较业界普遍使用的其他技术,embedded Flash面积约可缩小百分之40,并降低使用功率以及静态电流。
过去十八个月来,各种不同规格的0.18um的IP功能已完成验证,pFusion 解决方案的降低成本及良好的性能已成功吸引超过40家客户使用了0.18um pFusion技术,应用于MCU, smart card, wireless, and SIM card等产品上。常忆科技pFusion事业处总经理张有志指出,优良的可靠性及出货质量帮 助我们的客户超越其他同业,而且出货量也已超过5万片8吋晶圆。」中芯国际资深副总裁兼首席商务官季克非也指出,该公司的 ASIC客户对于常忆科技针对pFusion 方案所提供高质量及低成本的测试服务非常满意。
常忆科技提供客制化全方位0.18um pFusion的功能设计服务及测试服务,每一个IP均内含专利的测试方案的功能? A将可使测试时间缩短至最短,并确保客户的产品可达到最好及最可靠的质量。