权威的存储市场资讯平台English

回到首页 当前位置:CFM分析

上游1Tb/512Gb Flash Wafer价格下调至3.65/1.80美元,DDR全面下调,16Gb 3200/16Gb eTT/8Gb 3200/8Gb eTT/4Gb eTT下调至3.10/2.90/2.05/1.43/0.75美元。

由于前些年密集地产能扩张,今年毛利率也将承受较高的折旧压力,中芯预计今年折旧增长将超过两成,资本支出与去年基本持平约60亿美元。

在宏观环境充满不确定的情况下,慧荣科技表示,目前销售疲软并且销售能见度低于正常水平,预计短期内难以改善,为应对不良市场环境,公司采取降本增效的方式来应对,已经对产品、薪酬和流片费用等进行审查。

2月初存储现货市场延续调整,本周上游资源Flash wafer和DDR颗粒价格继续下调,渠道流通情况较上周略有好转。不过上游DDR价格跌跌不休尚未见底,原厂内存条价格下调,导致现货市场的内存条行情持续承压。

随着新高性能处理器发布,预计2023年服务器DRAM需求呈高双位数百分比增长,eSSD需求增长超过30%。

节后首周,国内市场流通还未恢复常态化,而过年期间海外需求仍然不容乐观,在竞价出货的压力下,渠道SSD及内存条价格普遍下调。

在当前存储市场客户库存调整以及闪存产品价格不断下滑的阶段内,西部数据发布的2023财年第二季度财务业绩显示其已经处于亏损状态。

展望2023年,三星电子认为由于经济不确定性持续发酵,一季度客户库存调整的立场没有改变,短期需求复苏令人担忧。

疫情三年奔波在外的异乡人返乡心切,农历新年前最后一周,春运大潮提前拉开序幕。本周存储现货市场流通表现平淡,价格整体仍呈现下降趋势。

正值市场多变之秋,CFM闪存市场推出《2022年全球存储市场总结与2023年展望》,立足2022年展望2023年及未来存储市场的变化与发展。更多详情请联系Service@ChinaFlashMarket.com

虽然上周部分eTT DDR出现小幅反弹,但DDR整体下跌趋势未改,本周8Gb eTT、8Gb 3200、16Gb eTT、16Gb 3200分别下调至1.60/2.21/3.21/3.50美元。128Gb/256Gb/512Gb Flash Wafer全面下调至1.46/1.26/1.88美元。

《2022全球存储市场趋势白皮书》围绕存储芯片的应用趋势、技术发展、竞争格局与市场机会展开深度分析,洞察大数据时代下存储市场的挑战与机遇。

各存储原厂Q4业绩均可能录得多年以来的首次亏损,这主要是由于消费端需求疲软引发的供需错配,在市场竞争出货下存储行情持续走跌。库存积压、产能去化,仍是牵动未来数季度存储行情走向的核心因素。

本周行业市场512GB SATA及PCIe SSD续跌至27.5及29美元,在上游DDR资源走跌的影响下,行业内存条价格再度全面下调。

美光1β nm DRAM的量产速度将放缓,1γnm DRAM的推出将延迟至2025年,其原计划是2024年推出。同时232L以上NAND Flash也将推迟。

股市快讯 更新于: 05-05 01:33,数据存在延时

存储原厂
三星电子54300KRW-2.16%
SK海力士186000KRW+4.79%
铠侠1825JPY-0.44%
美光科技80.720USD+3.79%
西部数据44.690USD+1.68%
闪迪34.400USD+5.55%
南亚科35.65TWD-0.97%
华邦电子15.95TWD+1.27%
主控厂商
群联电子454.5TWD+1.56%
慧荣科技53.510USD+6.32%
联芸科技41.35CNY+1.95%
点序55.0TWD-0.72%
国科微68.93CNY-0.68%
品牌/模组
江波龙77.91CNY+3.33%
希捷科技93.070USD+3.40%
宜鼎国际238.5TWD+2.36%
创见资讯101.5TWD+1.50%
威刚科技85.7TWD+2.39%
世迈科技17.450USD+3.19%
朗科科技25.09CNY+4.24%
佰维存储62.33CNY+1.32%
德明利127.50CNY+0.73%
大为股份14.18CNY+2.09%
封测厂商
华泰电子32.10TWD+0.63%
力成109.0TWD+0.46%
长电科技33.43CNY+1.24%
日月光139.0TWD+2.58%
通富微电25.62CNY+0.99%
华天科技9.28CNY-5.31%