集成了eMMC和LPDDR的复合产品，释放PCB空间，助力智能设备小型化和轻薄化。
FORESEE
2021-03-17
兼容JEDEC eMMC5.1规范并支持HS400高速模式。
康盈半导体
2020-11-01
通过苛刻环境的高可靠性测试和老化测试，能承受-40°C-85°C的作业环境
康盈半导体
2020-09-01
采用96层3D NAND，提供256GB和128GB容量选择，与UFS 2.1性能相比，读取速度快2倍，写入速度提高50%。
美光
2020-06-01
BIWIN DDR提供从DDR1到DDR4的高性能RAM解决方案，主要满足台式电脑、路由器、机顶盒等商规电子产品的内存需
佰维存储
2020-04-29
采用第五代V-NAND，其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍，提供512GB、256GB和128GB容量选择。
三星
2020-03-17
采用主流的96层3D NAND，并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存，可提供最高800MB/s的顺序写入速度。
闪迪
2020-03-02
4GB-256GB全容量选择，支持更多场景应用，满足客户全容量需求。
康盈半导体
2020-03-01
BIWIN uMCP采用UFS+LPDDR4的组合方案，传输效率高，将是替代传统eMCP的下一代移动存储方案。
佰维存储
2019-12-27
BIWIN nMCP由NAND Flash,LowPowerSRAM 等堆叠封装，充分释放PCB空间。
佰维存储
2019-12-27
与最新的eMMC 5.1标准相比，BIWIN UFS速度高出其3倍，并提供32GB~512GB多种容量选择。
佰维存储
2019-09-24
BIWIN SPI NAND Flash提供了一种更高性价比的存储器外设方案。
佰维存储
2019-05-14
采用64层3D TLC，符合e.MMC 5.1标准，提供32GB-256GB容量。
闪迪
2019-05-09
容量从32GB-256GB，具有符合JEDEC/UFS版本2.1的接口，符合AEC-Q100 Grade2要求。
铠侠
2019-03-26
采用512Gb V-NAND，集成高性能控制器，提供128GB和512GB容量。
三星
2019-02-27
