三星eUFS3.1

采用第五代V-NAND，其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍，提供512GB、256GB和128GB容量选择。

产品分类：嵌入式 品牌：三星
应用领域： 智能手机
产品白皮书 发布于：2020-03-17
三星eUFS3.1 共1个产品
系列 容量 接口类型 速度(读) 速度(写) 随机读取 随机写入
eUFS.1 512GB UFS3.1 最高2100MB/秒 最高1200MB/秒 最高100K IOPS 最高70K IOPS

产品概览

三星电子宣布已经开始批量生产用于智能手机的512GB eUFS 3.1，其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍，打破了智能手机存储中1GB/s的阈值。除了512GB选项外，三星还将于今年晚些时候推出256GB和128GB容量。?

三星eUFS 3.1连续写入速度超过1,200MB/s，是基于SATA SSD (540MB/s)的两倍以上，是UHS-I microSD卡（90MB/s）的十倍以上。配备新款eUFS 3.1的智能手机仅需1.5分钟即可移动100GB数据，而基于UFS 3.0的电话则需要4分钟以上。

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