美光G9 QLC NAND
美光G9 QLC NAND

采用六平面NAND架构，可实现更高的并行度，并增加同时向NAND发出的读写命令数量。

美光 2025-06-27
SK Hynix 321层4D NAND
SK Hynix 321层4D NAND

与上一代相比，数据传输速度和读取性能分别提高12%、13%，数据读取能效也提高10%以上。

SK海力士 2024-11-21
Samsung 第九代V-NAND
Samsung 第九代V-NAND

配备下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，数据输入/输出速度最高可达3.2Gbps。

三星 2024-08-27
美光G9 TLC NAND
美光G9 TLC NAND

传输速度可达3.6GB/s，采用紧凑的11.5 毫米 x 13.5 毫米封装。

美光 2024-07-31
康盈SPI NAND工业级
康盈SPI NAND工业级

通用SPI接口，带有内部ECC，使其在满足数据传输效率的同时，保证数据可靠性。

康盈半导体 2023-08-01
KIOXIA 218层3D NAND
KIOXIA 218层3D NAND

采用创新横向微缩技术，为4平面(Plane)的1Tb三层存储单元(TLC)和四层存储单元(QLC)，带来超过50%的位密度提

铠侠 2023-03-31
Samsung 第八代V-NAND
Samsung 第八代V-NAND

基于Toggle DDR 5.0 接口，I/O速度高达2.4 Gb/秒。

三星 2022-11-07
SK Hynix 238层4D NAND
SK Hynix 238层4D NAND

238层产品数据传输速度为每秒2.4Gb，比上一代提升了50%；与 176 层 NAND 相比，其整体生产力提高了 34%。

SK海力士 2022-08-02
Micron 232层NAND
Micron 232层NAND

美光232 层 NAND拥有业界最快的 NAND I/O 速度 — 每秒 2.4 GB (GB/s)。

美光 2022-07-27
Micron 3D TLC B95A
Micron 3D TLC B95A

Micron 3D TLC B95A提供16GB-32GB多种容量选择，支持LDPC纠错。

美光 2019-05-09
Toshiba 3D QLC TGF23
Toshiba 3D QLC TGF23

Toshiba 3D QLC TGF23采用BGA封装，提供192GB存储容量选择。

铠侠 2018-06-14
Samsung 3D TLC ADGU0F
Samsung 3D TLC ADGU0F

Samsung 3D TLC ADGU0F采用15nm工艺，提供16Gb容量选择。

三星 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D
Samsung 3D TLC ADGU0D

Samsung 3D TLC ADGU0D采用16nm工艺，提供16GB容量选择。

三星 2018-05-10
SK Hynix 3D TLC UDG8M2M
SK Hynix 3D TLC UDG8M2M

SK Hynix 3D TLC UDG8M2M采用16nm制程，提供16GB容量选择。

SK海力士 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B

SK Hynix 3D TLC QDG8M2B采用1ynm制程，提供16GB-64GB多种容量选择。

SK海力士 2018-04-26

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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