BIWIN DDR

BIWIN DDR提供从DDR1到DDR4的高性能RAM解决方案，主要满足台式电脑、路由器、机顶盒等商规电子产品的内存需

产品分类：嵌入式 品牌：佰维存储
应用领域： 台式机
产品白皮书 发布于：2020-04-29
BIWIN DDR 共2个产品
系列 封装 容量
BIWIN DDR3 FBGA78/FBGA96 2Gb~4Gb
BIWIN DDR4 FBGA78/FBGA96 ＞4Gb

产品概览

DDR全称Double Data Rate 双倍速内存，是在SDRAM内存基础上发展而来的。比SDRAM有更高的传输速率。BIWIN DDR提供从DDR1到DDR4的高性能RAM解决方案，主要满足台式电脑、路由器、机顶盒等商规电子产品的内存需求。

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⊙05-29 17:43

联芸科技在接受机构调研时表示，其自主研发的首款UFS3.1嵌入式主控芯片已成功导入国内核心客户，在多家国内主流终端手机厂商测试顺利，将于2026年起正式贡献量产营收，正积极导入更多终端手机厂商。

⊙05-29 15:09

德明利宣布推出其首款基于 QLC NAND 的 UFS。该产品基于成熟的 UFS 2.2 标准，采用慧荣主控方案，支持 LDPC 纠错，具备动态写入策略与缓存机制、温度管理与动态调控机制，同时其还具备智能化的数据迁移与坏块管理，可实现比肩同类 TLC 的性能。

⊙05-29 11:41

Sandisk首席技术官(CTO)兼执行副总裁Alper Ilkbahar日前接受媒体访问时称，全球AI竞赛正变得越来越以存储为中心，而非算力，该趋势或加剧全球史无前例的存储芯片供应紧张局面。他还透露了HBF的进展，表示目前正在设计晶片，HBF晶片将于今年底提供样品，配备控制器的完整产品预计明年推出。

⊙05-29 10:26

慧荣科技发布全新的SM2524XT固态硬盘主控芯片。这是一款基于PCIe 5.0接口的DRAM-less主控，主要针对AI推理以及KV Cache密集型工作负载进行了优化。SM2524XT基于台积电6nm制程工艺，采用四核处理器架构，支持PCIe 5.0 x4通道以及高达4800 MT/s的NAND闪存接口速度。据官方数据显示，其顺序读取速度可达14 GB/s，随机读写性能最高可达250万 IOPS。

⊙05-29 10:01

三星电子宣布，已开始向全球主要客户交付业界首批 12 层 HBM4E 样品，进一步巩固了其在下一代 HBM 市场的领先地位。三星 HBM4E 可提供稳定的 14 Gbps 引脚传输速度，性能可扩展至 16 Gbps，以满足日益增长的数据处理需求。三星12 层 HBM4E 提供 48 GB 容量，比上一代产品增加了 30% 以上，并计划根据客户需求扩展产品线，包括 32 GB（8 层）和 64 GB（16 层）配置。

⊙05-28 16:32

据朝鲜日报援引业内人士透露，SK海力士近期收到了来自Alphabet、微软和Meta的内存半导体工厂投资支持提案，承诺提供数万亿韩元（约百亿美元）的资金支持，用于建设晶圆厂和购买EUV光刻设备。然而，据称管理层并未认真考虑这一方案。如果由特定的大型科技公司出资建厂，将会形成包含独家供货义务的合同结构。据悉，SK海力士婉拒了这些提议，同时将其作为长期供货合同的筹码。业内人士解读，这意味着SK海力士将要求更高的预付款、五年或更长时间的超长期合同以及价格下限保障条款。该策略旨在将大型科技公司带来的资金转化为更有利的合同条款，而不是转化为工厂股权。

⊙05-28 16:13

据外媒报道，三星电子计划投资约15亿美元在越南建设半导体测试工厂。据悉，该工厂生产通用芯片，计划年产能为1533亿GB DRAM和2556亿GB NAND闪存。目前工厂已开始建设，预计将于明年11月开始运营。

⊙05-28 14:13

Solidigm（思得）宣布任命郭炘和 Richard Chin为两位新任联席CEO。郭炘已于今年三月履职，将主导 Solidigm在技术和工程领域的全球业务战略制定和执行，打造引领市场的创新产品。Chin 于 5 月 1 日就任，他将围绕提升公司业绩、拓展核心能力、优化业务流程和推动业务拓展等方向展开工作。

⊙05-27 18:02

三星半导体官网正式发布首款PCIe Gen6企业级固态硬盘PM1763。该产品性能较上一代产品提升高达2倍，能效提升高达1.8倍，其顺序读取速度高达28,400MB/s，写入速度高达21,000MB/s。PM1763支持E1.S、E3.S和U.2三种外形尺寸，U.2版本限Gen5容量范围从4TB到64TB，符合NVMe 2.1、OCP 2.6标准。

⊙05-27 17:05

长鑫科技科创板IPO获上市委会议通过。

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