| 型号 | NAND Flash | 接口 | 连续读取 | 连续写入 | 随机读取 | 随机写入 | 容量 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MZ-VAP1T0 | V-NAND TLC | PCIe Gen5 x4 | 最高14,700 MB/s | 最高13,300 MB/s | 最高1,850 KIOPS | 最高2,600 KIOPS | 1TB | |
| MZ-VAP2T0 | V-NAND TLC | PCIe Gen5 x4 | 最高14,700 MB/s | 最高13,400 MB/s | 最高1,850 KIOPS | 最高2,600 KIOPS | 2TB | |
| MZ-VAP4T0 | V-NAND TLC | PCIe Gen5 x4 | 最高14,800 MB/s | 最高13,400 MB/s | 最高2,200 KIOPS | 最高2,600 KIOPS | 4TB | |
| MZ-VAP8T0 | V-NAND TLC | PCIe Gen5 x4 | 最高14,800 MB/s | 最高13,400 MB/s | 最高2,200 KIOPS | 最高2,600 KIOPS | 8TB |
三星消费类9100 PRO系列SSD采用5.0 x4接口, 符合NVMe 2.0规范,提供1TB、2TB、4TB、8TB四个版本可供选择。
性能方面,顺序读写速度最高可达达14,800MB/s、13,400 MB/s,比上一代快一倍;随机读写速度高达2,200K IOPS、2,600K IOPS。得益于先进的 5nm主控芯片,9100 PRO 系列比以前更省电。另外,9100 PRO相比前代产品,功率效率提升了高达49%。